Nexperia BAV99QB und BAV99QB-Q Hochgeschwindigkeits-Schaltdioden
Nexperia BAV99QB und BAV99QB-Q Hochgeschwindigkeits-Schaltdioden eignen sich hervorragend für Applikationen, die eine schnelle Schaltleistung erfordern. Die BAV99QB und BAV99QB-Q Dioden von Nexperia sind in extrem kleinen oberflächenmontierbaren (SMD) DFN1110D-3-Kunststoffgehäusen (SOT8015, JEDEC MO340-BA) untergebracht. Die Dioden verfügen über sichtbare und lötbare Seitenpads für eine einfache Installation. Mit einer hohen Schaltgeschwindigkeit von trr ≤ 4 ns, einem niedrigen Ableitstrom und einer Sperrspannung von VR ≤ 90 V gewährleisten diese Dioden einen effizienten Betrieb.
Merkmale
- Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 4 ns
- Niedriger Ableitstrom
- Sperrspannung: VR ≤ 90 V
- Niedrige Kapazität: Cd ≤ 2 pF
- Extrem kleines SMD-Kunststoffgehäuse
- Niedrige Gehäusehöhe von 0,5 mm
- Geeignet für die automatische optische Inspektion (AOI) der Lötstelle
- Gemäß AEC-Q101 qualifiziert und für den Einsatz in Fahrzeuganwendungen (BAV99QB-Q) empfohlen
Applikationen
- Hochgeschwindigkeits-Schalten
- Universalschaltung
- Umpolungsschutz
Gehäuseabmessungen
Weitere Ressourcen
Veröffentlichungsdatum: 2024-04-04
| Aktualisiert: 2024-04-10