Nexperia BATxxGW Schottky-Barriere-Dioden

Nexperia BAS21GW Hochspannungs-Schaltdioden sind AEC-Q101-qualifiziert und in ein kleines Kunststoffgehäuse des Typs SOD123 zur Oberflächenmontage (SMD) eingekapselt. Die BAS21GW Dioden bestehen aus BAS16GWJ und BAS16GWX Varianten. Diese BAS21GW-Dioden verfügen über Sperrverzögerungs-Zeit trr Schnelle Schaltung von ≤ 50 ns und VR  ≤ 200 V Sperrspannung. Typische Applikationen umfassen Hochgeschwindigkeits-Schaltung und Universal-Schaltung.Nexperia BATxxGW Schottky-Barriere-Dioden sind AEC-Q101-qualifiziert und mit einem integrierten Schutzring für Überlastungsschutz konzipiert. Die planaren Schottky- Barriere-Dioden sind in ein kleines SMD-Kunststoff-Gehäuse vom Typ Sod123 eingekapselt. Diese BATxxGW Schottky- Dioden werden in zwei Versionen, BAT46GW und BAT54GW, angeboten. Die BAT46GW speziell für Hochgeschwindigkeits-Schaltung und BAT54GW für Ultrahochgeschwindigkeits-Schaltung. Auch diese Dioden bestehen aus zwei Varianten, BATxxGWJ und BATxxGWX, welche über eine niedrige Kapazität und kleine SMD-Kunststoff-Gehäuse verfügen. Typische Applikationen sind Leitungsanschluss- und Fahrzeuganwendungen.

Merkmale

  • Low forward voltage
  • Low leakage current
  • Reverse voltage
  • Low capacitance
  • Small SMD plastic package
  • AEC-Q101 qualified

Applikationen

  • Line termination
  • Automotive applications
  • Voltage Clamping
  • Reverse polarity protection

Diode capacitance as a function of reverse voltage:

Nexperia BATxxGW Schottky-Barriere-Dioden
Veröffentlichungsdatum: 2017-09-19 | Aktualisiert: 2022-03-11