Nexperia BAS116VY/-Q Dreifach-Schaltdioden mit niedrigem Ableitstrom
Nexperia BAS116VY und BAS116VY-Q Dreifach-Schaltdioden mit niedrigem Ableitstrom sind elektrisch isolierte Dreifach-Epitaxialdioden mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit in einem extrem kleinen SOT363-Gehäuse (TSSOP6). Diese Dioden werden in einem Umgebungstemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C betrieben und eignen sich hervorragend für Applikationen mit niedrigem Ableitstrom in oberflächenmontierbaren Schaltungen. Die BAS116VY-Q ist AEC-Q101-qaulifiziert und wird für den Einsatz in Fahrzeuganwendungen empfohlen.
Merkmale
- Niedriger maximaler Ableitstrom von 5 nA
- Typische Schaltzeit: 0,8 µs
- Maximale kontinuierliche Sperrspannung: 75 V
- Maximale periodische Spitzensperrspannung: 85 V
- Maximaler periodischer Spitzendurchlassstrom: 500 mA
- Maximale Gesamtverlustleistung: 250 mW
- Typische Diodenkapazität: 2 pF
- Umgebungstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
- Abmessungen: 2,1 mm x 1,25 mm x 0,95 mm, Rastermaß von 0,65 mm
- Schwall- und Reflow-lötbar
- Gemäß AEC-Q101 qualifiziert und für den Einsatz in Fahrzeuganwendungen empfohlen (-Q-Version)
Verwandte Dioden
Nexperia BAS116LS-Q Diode mit niedrigem Ableitstrom
In einem extrem kleinen unbedrahteten DFN1006BD-2(SOD882BD)-Surface-Mounted-Device-Kunststoffgehäuse (SOD882BD) untergebracht.
Nexperia BAS116DY/-Q Dual-Schaltdioden mit niedrigem Ableitstrom
Elektrisch isolierte Epitaxialdioden mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit in einem extrem kleinen SOT363-Gehäuse.
Veröffentlichungsdatum: 2023-06-20
| Aktualisiert: 2023-06-22