Nexperia 74HC1G00/74HCT1G00 2-Input NAND-Gatter
Nexperia 74HC1G00 und 74HCT1G00 2-Input NAND-Gatter sind für eine Vielzahl digitaler Anwendungen konzipiert. Diese Gatter verfügen über einen weiten Versorgungsspannungsbereich von 2,0V bis 6,0V für den 74HC1G00 und 4,5V bis 5,5V für den 74HCT1G00, wodurch sich diese Nexperia-NAND-Gatter für verschiedene Spannungsumgebungen eignen. Diese Bausteine bieten hohe Störfestigkeit und niedrige Verlustleistung, was eine zuverlässige Leistung in komplexen Schaltungen gewährleistet. Die Eingänge enthalten Klemmdioden, die das Nutzen Strom begrenzender Widerstände ermöglichen, um mit Spannungen arbeiten zu können, die höher als die Versorgungsspannung sind. Diese NAND-Gatter sind ideal für Logikfunktionen, Signalinvertierung, Zeitschaltungen, Steuerlogik und Datenspeicheranwendungen.
Merkmale
- Große Versorgungsspannungsbereiche
- 2.0 V auf 6.0 V für 74HC1G00
- 4,5 V auf 5,5 V für 74HCT1G00
- Geringe CMOS-Verlustleistung
- Eingangspegel:
- CMOS-Pegel für 74HC1G00
- TTL-Pegel für 74HCT1G00
- Symmetrische Ausgangsimpedanz
- Hohe Störfestigkeit
- Die Latch-up-Leistung übertrifft 100 mA gemäß JESD78 Klasse II Level B
- SOT353-1 (TSSOP5), SOT753 (SC-74A), und SOT8065-1 (XSON5) Gehäuseoptionen
- Ausgeglichene Laufzeitverzögerungen
- ESD-Schutz
- HBM übertrifft 2.000 V nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 Klasse 2
- CDM übertrifft 1.000 V nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 Klasse C3
- Entspricht den JEDEC-Normen
- JESD8C (2,7 V bis 3,6 V)
- JESD7A: 2.0 V bis 6.0 V
- Spezifiziert von 40 °C bis +125 °C
Applikationen
- Logische Funktionen
- Signalinvertierung
- Zeitschaltungen
- Steuerlogik
- Datenspeicherung
Technische Daten
- ±20 mA minimaler Eingangsklemmenstrom
- ±20 mA maximaler Ausgangsklemmenstrom
- Maximaler Ausgangsstrom von ±12,5 mA
- 25 mA maximaler Versorgungsstrom
- -25 mA minimaler Erdstrom
- 250 mW maximale Gesamtverlustleistung
Funktionsdiagramme
Veröffentlichungsdatum: 2025-04-03
| Aktualisiert: 2025-04-21