Nexperia 2N7002AK N-Kanal-Trench-MOSFETs
Nexperia 2N7002AK N-Kanal-Trench-MOSFETs sind Enhancement-Mode-Feldeffekttransistoren (FETs) in kleinen oberflächenmontierten (SMD) Kunststoffgehäusen mit Trench-MOSFET-Technologie. Diese AEC-Q101-qualifizierten Bausteine bieten in einem weiten Sperrschichttemperaturbereich von -55°C bis +175°C Kompatibilität auf Logikebene Zu den Anwendungen von Nexperia 2N7002AK N-Kanal Trench MOSFETs gehören Relais- und Hochgeschwindigkeitsleitungstreiber, Low-Side-Lastschalter und Schaltkreise.
Merkmale
- Kompatibel zu Logikpegeln
- Erweiterter Temperaturbereich bis zu +175 °C
- Trench-MOSFET-Technologie
- Schutz gegen elektrostatische Entladungen (ESD)
- AEC-Q101-qualifiziert
- RoHS-konform
Applikationen
- Relaistreiber
- Hochgeschwindigkeitsleitungstreiber
- Low-Side-Lastschalter
- Schaltkreise
Technische Daten
- Maximale Drain-Source-Spannung: 60 V
- Gate-Source-Spannung: ±20 V
- Maximaler Drainstrombereich: 220 mA bis 240 mA
- Maximaler Drain-Source-Einschaltwiderstand: 3 Ω
- Maximale ESD-Spannung (HBM): 500 V
- Gehäuseoptionen
- 2,9 mm x 1,3 mm x 1 mm, Rastermaß 1,9 mm, SOT23 mit 3 Anschlüssen
- 2,1 mm x 1,25 mm x 0,95 mm, Rastermaß 0,65 mm, SOT363, 6-polig
- 2 mm x 1,25 mm x 0,95 mm, Rastermaß 1,3 mm, SOT323, 3-polig
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Veröffentlichungsdatum: 2024-03-19
| Aktualisiert: 2024-11-08