Nexperia 1.200-V-SiC-MOSFETs
Die 1200 V SiC-MOSFETs von NexGuard sind in 3-Pin-TO-247-3- und 4-Pin-TO-247-4 für die PCB-Montage zur Durchsteckmontage untergebracht. Die MOSFETs von Nexperia eignen sich aufgrund der ausgezeichneten Temperaturstabilität und der schnellen Schaltgeschwindigkeit hervorragend für Hochleistungs- und Hochspannungs-Industrieapplikationen. Zu diesen Applikationen gehören E-Fahrzeug-Ladeinfrastrukturen, Photovoltaik-Wechselrichter und Motorantriebe.
Merkmale
- Stabiler on-Widerstand mit extrem hoher Temperatur
- Schnelle Sperrverzögerung
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Geringe Schaltverluste
- Schnelle und robuste intrinsische Bodydiode
- Temperaturunabhängige Schaltverluste beim Abschalten
Applikationen
- E-Fahrzeug-Ladeinfrastruktur
- Photovoltaik-Wechselrichter
- Schaltnetzteil
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung
- Motorantriebe
Kurzanleitung
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung |
|---|---|---|
| NSF080120L3A0Q |  |
SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 36A N-CH SIC |
| NSF040120L3A0Q | |
SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 66A N-CH SIC |
| NSF040120L4A1Q | |
SiC-MOSFETs NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L |
Veröffentlichungsdatum: 2023-11-15
| Aktualisiert: 2023-12-06