Microchip Technology MSCSM170HM45CT3AG Hochspannungs-Leistungsmodule

Die MSCSM170HM45CT3AG Hochspannungs-Leistungsmodule von Microchip Technology   sind Vollbrücken-Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) mit 1.700V und 64 A. Die Module sind ein Wandler mit hohem Wirkungsgrad und hervorragender Leistungsfähigkeit bei Hochfrequenzbetrieb. Die Bauteile verfügen über eine direkte Montage am Kühlkörper (isoliertes Gehäuse) und einen niedrigen thermischen Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand.

Merkmale

  • SiC-Leistungs-MOSFET
    • Hochgeschwindigkeitsschaltung
    • Niedriger RDS(on)
    • Ultrageringer Verlust
  • SiC-Schottky-Diode
    • Keine Sperrverzögerung
    • Null-Durchlassverzögerung
    • Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
    • Positiver Temperaturkoeffizient auf VF
  • Sehr niedrige Streuinduktivität
  • Kelvin-Quelle für einfachen Antrieb
  • Interner Thermistor für Temperaturüberwachung
  • Aluminiumnitrid(AlN)-Substrat für verbesserte thermische Leistung

Applikationen

  • Schweißumformer
  • Schaltnetzteile
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
  • EV-Motor- und Traktionsantriebe
Veröffentlichungsdatum: 2021-08-13 | Aktualisiert: 2022-03-11