Microchip Technology MSCSM170AM11CT3AG Hochspannungs-Leistungsmodule
Die MSCSM170AM11CT3AG Hochspannungs-Leistungsmodule von Microchip Technology sind SiC-Leistungs-MOSFETs mit einem niedrigen RDS(on) und einer Hochtemperaturleistung. Die Module verfügen über eine Kelvin-Quelle für einen einfachen Antrieb, eine geringe Streuinduktivität und einen internen Thermistor für die Temperaturüberwachung (optional). Die Bauteile verfügen über eine hervorragende Leistungsfähigkeit bei Hochfrequenzbetrieb.
Merkmale
- Phasenstrecken-Konfiguration
- 1700 V VDSS
- 8,8 RDSon (mR) typ.
- 191 A Strom Tc = 80 °C
- SiC-Mosfet-Silizium-Typ
- SP3F-Gehäuse
Veröffentlichungsdatum: 2021-08-13
| Aktualisiert: 2022-03-11