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Microchip Technology MSCDR90A160BL1NG Basisloses Si-Dioden-Leistungsmodul

Das Microchip Technology MSCDR90A160BL1NG Baseless Si Diode Power Module zeichnet sich durch eine hohe Sperrspannung, eine sehr geringe Streuinduktivität, ein extrem niedriges Gewicht und einen geringen thermischen Widerstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse aus. Dieses Diodenleistungsmodul arbeitet mit einer Vorwärtsspannung von 1,3 V (VF) bei 90 A, einer Sperrspannung von 1,6 kV (VR) und einer maximalen repetitiven Sperrspannung von 1600 V (VRRM).

Merkmale

  • Hohe Sperrspannung
  • Sehr niedrige Streuinduktivität
  • Ultra-geringes Gewicht
  • Ultra-niedriges Profil
  • Direkte Montage auf dem Kühlkörper (isoliertes baseless Gehäuse)
  • Niedriger Sperrschicht/Gehäuse-Wärmewiderstand
  • RoHs-konform

Technische Daten

  • 1,3 V Durchlassspannung (VF) bei 90 A
  • 1,6 kV Sperrspannung (VR)
  • 1600 V maximale repetitive Sperrspannung (VRRM)
  • Konfiguration der Phasenverschiebung
Veröffentlichungsdatum: 2021-10-11 | Aktualisiert: 2022-03-11