Microchip Technology 1N6111AUS/TR Überspannungsschutz
Der Transient Voltage Suppressor (TVS) 1N6111AUS/TR von Microchip Technology zeichnet sich durch ein lunkerfreies, hermetisch abgedichtetes, bidirektionales Design aus und ist für den Einsatz im Militär gemäß MIL-PRF-19500/516 geeignet. Der 1N6111AUS/TR bietet eine Betriebsspitzen-Durchbruchspannung von 5,7 V bis 152 V mit einer Leistung von 500 W für einen Impuls von 10 µs bis 1.000 µs.Der 1N6111AUS/TR eignet sich hervorragend für empfindliche Schaltungen und Applikationen mit hoher Zuverlässigkeit.
Der Transienten-Spannungsunterdrücker 1N6111AUS/TR von Microchip Technology ist in einem 3,76 mm x 5,72 mm großen SQ-MELF-Gehäuse (Square Metal Electrode Leadless Face) mit einem Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C erhältlich.
Merkmale
- Hoher Stoßstrom und hohe Impulsspitzenleistung bieten Schutz vor Transientspannungen für empfindliche Schaltungen
- ESD- und EFT-Schutz gemäß IEC6100-4-2 bzw. IEC61000-4-4
- Schutz vor Sekundäreffekten eines Blitzeinschlags nach ausgewählten Stufen der IEC61000-4-5
- Unempfindlich gegen ESD nach MIL-STD-750 Methode 1020
- Interne metallurgische Bindungen der Kategorie 1
- Klemmen mit quadratischer Endkappe für einfache Platzierung
- Dreischichtige Passivierung
- Hohlraumfreie, hermetisch versiegelte Glasverpackung
Applikationen
- Militärische und andere hochzuverlässige Anwendungen
Technische Daten
- 8,3 °C/W Wärmewiderstand Übergang zu Endkappe
- 500 W Pulsspitzenleistung bei 10 µs bis 1000 µs Puls
- 3 W Dauerleistung bis zu TEC=150 °C
- 2 W stationäre Leistung bei TA=25 °C
- 0,01 % Impulswiederholungsrate
- 15,2 V Mindestdurchbruchspannung
- 12,2 Abstandsspannung
- 20 µA minimaler Standby-Strom
- 22,3 V maximale Klemmspannung
- -55 °C bis +175 °C Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich
- 3,76 mm x 5,72 mm SQ-MELF Gehäuse
Gehäuseabmessungen
Veröffentlichungsdatum: 2021-11-18
| Aktualisiert: 2022-03-11