Microchip Technology 1200 V SIC-MOSFETs
Die 1200 V SIC-MOSFETs von Microchip Technology bieten einen hohen Wirkungsgrad in einer leichteren, kompakteren Lösung. Diese Bauteile verfügen über einen niedrigen internen Gate-Widerstand (ESR), der eine schnelle Schaltgeschwindigkeit ermöglicht. Die MOSFETs sind einfach anzusteuern und problemlos parallel zu schalten, mit verbesserten thermischen Eigenschaften und geringeren Schaltverlusten.
Die 1200 V SIC-MOSFETs von Microchip kommen ohne externe Freilaufdiode aus und bieten eine überlegene Avalanche-Festigkeit in einer schnellen und zuverlässigen Body-Diode.
Merkmale
- Geringe Kapazitäten und geringe elektrische Gate-Ladung
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch niedrigen internen Gate-Widerstand (ESR)
- Stabiler Betrieb bei hoher Sperrschichttemperatur, TJ(max) = 175 °C
- Schnelle, zuverlässige Body-Diode
- Überlegene Avalanchefestigkeit (100 % UIS-Produktionsgeprüft)
- Kriechstrecke (typ. >8 mm)
Applikationen
- Photovoltaik (PV)-Wechselrichter, Wandler und industrielle Motorantriebe
- Intelligente Übertragung und -verteilung in Stromnetzen
- Induktionserwärmen und -schweißen
- Antriebsstränge für Hybridelektrofahrzeuge (HEV) und Ladegeräte für Elektrofahrzeuge (EV)
- Stromversorgung und -verteilung
Typische Applikation
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| Teilnummer | Datenblatt | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Id - Drain-Gleichstrom |
|---|---|---|---|
| MSC020SMB120B4N |  |
24 mOhms | 97 A |
| MSC025SMB120B4N | |
33 mOhms | 81 A |
| MSC030SMB120B4N | |
40 mOhms | 69 A |
| MSC040SMB120B4N | |
53 mOhms | 54 A |
| MSC045SMB120B4N | |
60 mOhms | 49 A |
| MSC060SMB120B4N | |
80 mOhms | 38 A |
| MSC080SMB120B4N | |
107 mOhms | 30 A |
| MSC031SMC120B4N | |
42 mOhms | 72 A |
Veröffentlichungsdatum: 2025-09-19
| Aktualisiert: 2025-09-29