MACOM CGH09120F GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT)
Der GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) CGH09120F von Wolfspeed / Cree ist für hohe Wirkungsgrade, hohe Verstärkung und hohe Bandbreiten konzipiert. Da dieser GaN-HEMT eine hohe DPD-Korrektur ermöglicht, eignet er sich bestens für MC-GSM-, WCDMA- und LTE-Verstärkerapplikationen geeignet. Der Transistor ist in einem Keramik-/Metall-Flanschgehäuse untergebracht.
Merkmale
- UHF to 2.5GHz operation
- 21dB gain
- -38dBc ACLR at 20W PAVE
- 35% efficiency at 20W PAVE
- High degree of DPD correction can be applied
- Ceramic/metal flange package
Applikationen
- MC-GSM
- WCDMA
- LTE amplifiers
Veröffentlichungsdatum: 2017-10-06
| Aktualisiert: 2024-01-19