Littelfuse P6KE Axial bedrahtete uni-/bidirektionale TVS-Dioden

Die Littelfuse P6KE axial bedrahteten unidirektionalen/bidirektionalen TVS-Dioden schützen empfindliche elektronische Geräte vor Spannungstransienten, die durch Blitzschlag und andere Transientenspannungsereignisse hervorgerufen werden. Die P6KE Dioden bieten schnelle Reaktionszeiten, hervorragende Klemmfähigkeit und einen geringen inkrementellen Stoßwiderstand. Die in einem großen Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C betriebenen axial bedrahteten Dioden verfügen über einen Betriebsspannungsbereich von 5,8 V bis 550 V, eine Spitzenimpulsbelastbarkeit von 600 W (Einzelchip-Teile) mit einer Wellenform von 10/1000 μs und einen Spitzenimpulsstrombereich von 750 mA bis 58,1 A. Diese TVS-Komponenten eignen sich hervorragend für den Schutz von I/O-Schnittstellen,_V-CC-Bussen und anderen empfindlichen Schaltungen in Applikationen in den Bereichen Telekommunikation, Computer, Industrie und Unterhaltungselektronik.

Merkmale

600 W Spitzenimpulsfähigkeit bei einer Wellenform von 10/1000 μs, Wiederholungsrate (Tastverhältnisse): 0,01 %
Glaspassivierte Chip-Sperrschichten in einem DO-15-Gehäuse
Schnelle Anschwingzeit von weniger als 1,0 ps von mindestens 0 bis BV (typisch)
Ausgezeichnete Klemmfähigkeit
Niedrige inkrementeller Überspannungswiderstand
I_R ist typische weniger als 1 μA, bei einem minimalen V_BR von ±12 V
Kompatibel mit Hochtemperatur-Reflow-Löten (+260 °C/30 s)
Typischer Kurzschluss-Ausfallmodus bei einem Spannungs- oder Strombereich über den zulässigen Werten

Whisker-Test basierend auf den Tabellen 4a und 4c des JEDEC JESD201A durchgeführt
IEC 61000-4-2 ESD - 30 kV (Luft), 30 kV (Kontakt)
EFT-Schutz von Datenleitungen gemäß IEC 61000-4-4
UL94V-0-eingestuftes Epoxid
Matt verzinnt, bleifrei
Bleifrei E3 bedeutet, die 2. Ebenenverbindung ist bleifrei und das Material des Klemmenanschlusses besteht aus Zinn (Sn) (IPC/JEDEC J-STD-609A.01)
Halogenfrei und RoHS-konform

Applikationen

Telekommunikation
Computer

Industrieapplikationen
Unterhaltungselektronik

Technische Daten

Betriebsspannungsbereich: 5,8 V bis 550 V
Durchschlagspannungsbereich: 6,45 V bis 630 V
Klemmspannungsbereich: 10,5 V bis 828 V
Spitzenimpulsstrombereich: 750 mA bis 58,1 A
Maximale Spitzenimpuls-Verlustleistung von 10/1000 µs Prüfwellenform
- 600 W für Einzelchip-Bauteile
- 800 W für gestapelte Chipbauteile
Maximale Verlustleistung von 5,0 W im stationären Zustand auf unbegrenztem Kühlkörper bei T_L= +75 °C

Maximaler Spitzen-Durchlassstoßstrom von 100 A, 8,3 ms Einzelhalbsinuswelle (nur unidirektional)
Maximale momentane Durchlassspannung von 3,5/5,0 V bei 50 A (nur unidirektional)
Prüfstromoptionen: 1 mA oder 10 mA
Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis 175 °C
Maximale thermische Widerstände
- Sperrschicht-zu-Leitung: +20 °C/W
- Sperrschicht-zu-Umgebung: +75 °C/W