IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs bieten eine Nennspannung von 200 V, einen Strombereich von 340 A bis 500 A und ein SOT-227B-Gehäuse. Diese MOSFETs bieten einen reduzierten Parallelverbindungsaufwand mit einer reduzierten Anzahl Komponenten und der vereinfachte Treiber reduziert den Designaufwand. Zusätzliche Funktionen umfassen niedrigen RDS(on), hohe Strombelastbarkeit, niedrige Gate-Ladung QG und kompaktes Design mit hoher Leistungsdichte. Die IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs von IXYS eignen sich für DC-Lastschalter, Batterie- und Brennstoffzellen-basierte Energiespeichersysteme, Batterieformatierung sowie Industrie- und Prozess-Netzteile.
Merkmale
- Niedriger RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit
- Niedrige Gate-Ladung Qg
- Kompaktes Design mit hoher Leistungsdichte
- Reduzierter Aufwand für Parallelschaltungen mit reduzierter Bauteilanzahl
- Vereinfachter Treiber reduziert den Designaufwand
- Aluminiumnitrid-Keramik-basiertes isoliertes Gehäuse
- Kompaktes diskretes Gehäuse mit elektrisch isolierter Grundplatte
- Niedrige interne Leitungsinduktivität mit höherem Sicherheitsüberspannungsabstand
- Das verschraubte diskrete Gehäuse ermöglicht eine robuste und stabile Montage
Applikationen
- DC-Lastschalter
- Batterie- und Brennstoffzellen-basierte Energiespeichersysteme
- Industrie- und Prozess-Netzteile
- Stromversorgungen für Telekommunikation und Rechenzentren
- Batteriebildung
- Robotik und Servosteuerungen
Technische Daten
- Isolationsspannung: 2.500 VAC
- Nennspannung: 200 V
- Strombereich: 340 A bis 500 A
- SOT-227B-Gehäuse
Datenblätter
Videos
Veröffentlichungsdatum: 2024-09-23
| Aktualisiert: 2025-03-11