IXYS GenX3™ Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs)

IXYS GenX3 ™ Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs) sind PT (Punch Through) und werden im Rahmen eines robusten HDMOS-IGBT-Verfahrens hergestellt. Die 600 V GenX3- Bauelemente sind für Anwendungen optimiert, die Soft Switching-Frequenzen über 200 kHz und Hard Switching-Frequenzen von 40 kHz erfordern. Die 600 V IGBTs bieten höhere Stoßstromfähigkeiten, eine niedrigere Sättigungsspannung und geringerere Energieverluste, was Designern eine praktikable Option zum Schalten von Anwendungen im 600 V Bereich bietet. Die 1200 V GenX3 IGBTs bieten niedrigere Sättigungsspannungen, niedrigere Schaltverluste und höhere Stoßstromfähigkeiten. Die 1200 V Modelle sind für den Markt der Hochspannungsstromumwandlung bestimmt.