IXYS Integrated Circuits Low-Side-GATE-Treiber-ICs
IXYS Integrated Circuits bietet ein umfangreiches Portfolio an Low-Side-MOSFET- und IGBT-GATE-Treiber-ICs (Isolierter Gate-Bipolartransistor). Diese Treiber bieten Ausgangsströme von 1,5 A bis 30 A und Spannungen bis zu 40 V und sind in DIP-, SO-IC-, DFN-, TO-220- und TO-263-Gehäusen erhältlich. AEC-Q100-Gate-Treiber in Automobilqualität sind mit 4 A-, 5 A-, 9 A- und 14 A-Ausgängen erhältlich. IXYS Integrated Circuits Low-Side-Gate-Treiber sind ultraschnelle Hochstrom-MOSFET- und IGBT-Gate-Treiber, die für eine Leistung mit hohem Wirkungsgrad in Motorantriebs- und Leistungsumwandlungsapplikationen optimiert sind.
Applikationen
- Schaltermodus-Stromversorgung
- Umrichter
- Motorsteuerungen
- DC/DC-Wandler
- Impulstransformator-Treiber
- Ladestationen
Low-Side-Gate-Treiber
IXYS Low-Side-Gate-Treiber sind ultraschnelle Hochstrom-MOSFET- und IGBT-Gate-Treiber, die für eine Leistung mit hohem Wirkungsgrad in Motorantriebs- und Leistungsumwandlungsapplikationen optimiert sind. Mit einem Ausgangsstrom von 1,5 A bis 30 A sind sie so konzipiert, dass sie die größten MOSFETs und IGBTs mit minimalen Schaltern und bei Frequenzen bis zu 10 MHz schalten können.
Je nach Ausgangsstrom werden diese Gate-Treiber in DFN (56), SO-IC (54), Leistung SO-IC (53), DIP (20), TO-220 (57) und TO-263 (58) Gehäusen angeboten. „F“-Versionen enthalten einen Wechselrichter-Treiber und einen Nicht-Wechselrichter-Treiber, „I“-Versionen sind Wechselrichter, „N“-Versionen sind Nicht-Wechselrichter und „D“-Versionen sind Nicht-Wechselrichter, die eine Freigabefunktion enthalten.
Merkmale:
- 1,5 A bis 30 A Spitzenwert Quelle / Ableitvorrichtung Antriebsstrom
- Breiter Betriebsspannungsbereich von 4,5 V bis 35 V
- -40°C bis +125°C erweiterter Betriebstemperaturbereich
- Logikeingang widersteht negativen Schwingungen von bis zu -5 V
- Angepasste Anstiegs- und Abfallzeiten
- Geringe Ausbreitungsverzögerung
- Niedriger 10 µA Versorgungsstrom
- Niedrige Ausgangsimpedanz
Vergleichstabelle
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