IXYS E1780TG65E Hochleistungs-Schall-FRD
Die E1780TG65E Hochleistungs-Schall-FRD von IXYS ist eine ultra-schnelle und ultra-weiche Erholungsdiode mit einer Spannung von bis zu 6,5 kV und Stromstärken von 270 A bis 4200 A. Diese Diode verfügt über ein einzigartiges Herstellungsverfahren und eine Lebensdauerkontrolle, um einen außergewöhnlichen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten zu bieten. Die E1780TG65E-Diode zeichnet sich durch einen großen sicheren Betriebsbereich (SOA) aus, der sie zu einer idealen Freilaufdiode für snubberlose IGBT- und IGCT-Anwendungen oder jede andere Anwendung macht, die eine schnelle Diode mit geringem Verlust erfordert. Diese Diode ist ideal für Traktion, Mittelspannungsantriebe, Induktionserwärmung und gepulste Stromanwendungen.
Merkmale
- Ultra-schnelle und ultra-weiche Erholungsdiode
- Bietet ein einzigartiges Herstellungsverfahren und eine einzigartige Kontrolle der Lebensdauer:
- Bietet einen außergewöhnlichen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten
- Großer sicherer Wirkbereich (SOA)
Technische Daten
- Nennspannung: 1,7 kV bis 6,5 kV
- Nennstrom: 270 A bis 4200 A
- Maximale Sperrschichttemperatur: 140 °C
- Maximale wiederholte Sperrspannung: 6500 V
- Maximaler Stoßstrom (10 ms Halbsinuswelle): 25600 A
- Maximaler Rückspeisestrom: 1750 A
- Sperrverzögerungsladung: 3500 µC
- Neigungswiderstand: 0,983 mΩ
Applikationen
- Traktionsapplikationen
- Mittelspannungsantriebe
- Induktionserwärmung
- Pulsleistungsapplikationen
Veröffentlichungsdatum: 2022-01-19
| Aktualisiert: 2022-03-11