ISSI LPDDR4 und LPDDR4X mobiler SDRAM
Die LPDDR4 und LPDDR4X SDRAM von ISSI sind Niederspannungs-Speicherbauteile, die in Dichten von 2 GB, 4 GB und 8 GB verfügbar sind. Die Niederspannungs-Cores und die I/O-Leistungsanforderungen dieser Bauteile machen sie ideal für mobile Applikationen. Die LPDDR4 und LPDDR4X SDRAM bieten einen Taktfrequenzbereich von 10 MHz bis 1.600 MHz und Datenraten von bis zu 3.200 MBit/s pro I/O. Diese Bauteile sind mit acht internen Bänken pro Kanal für einen gleichzeitigen Betrieb konfiguriert. Sowohl der LPDDR4 als auch der LPDDR4X verfügen über programmierbare Lese- und Schreib-Latenzen in programmierbaren und „on-the-fly“-Burst-Längen.
Die ISSI LPDDR4 und LPDDR4X SDRAM verwenden eine Architektur mit doppelter Datenrate, um einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu erreichen.Die Architektur mit doppelter Datenrate ist eine 16n-Prefetch-Architektur mit einer Schnittstelle, die zur Übertragung von zwei Datenwörtern pro Taktzyklus an den I/O-Pins ausgelegt ist.Diese Bauteile bieten vollständig synchrone Betriebsabläufe, die sowohl auf steigende als auch fallende Flanken des Taktgebers bezogen sind.Die Datenpfade werden intern „pipelined“ und 16n-Bit-„prefetched“, um eine sehr hohe Bandbreite zu erreichen.
Merkmale
- Niederspannungsversorgung
- LPDDR4: 1.8V
- LPDDR4X: 1.1V
- I/O-Niederspannung
- LPDDR4: 1.1V
- LPDDR4X: 0.6V
- Frequenzbereich: 10 MHz bis 1.600 MHz
- 20 Mbps bis 3200 Mbps pro I/O-Datenrate
- 16n-Prefetch-DDR-Architektur
- 8 interne Banken pro Kanal für Parallelbetrieb
- Gemultiplexte Befehls-/Adresseingänge mit doppelter Datenrate
- Mobile Funktionen für einen geringeren Stromverbrauch
- Programmierbare Lese- und Schreiblatenzen
- Programmierbare und „on-the-fly“-Burst-Länge (BL = 16 oder 32)
- On-Chip-Temperatursensor für effiziente Selbstaktualisierungs-Steuerung
- ZQ-Kalibrierung
- Einstellbare Antriebsstärke
- Selbstaktualisierung von Teilen des Arrays (Partial-Array Self-Refresh, PASR)
- BGA-200-Gehäuse von 10 mm x 14,5 mm
Applikationen
- Mobile Computernutzung
- Tablets
Verwandte Produkte
ISSI Mobile LPDDR2 SDRAM
High-speed operation, using a double data rate architecture, a prefetch architecture.
Veröffentlichungsdatum: 2020-07-14
| Aktualisiert: 2025-12-17