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Infineon Technologies XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET-Halbbrückemodule

Die MOSFET-Halbbrückenmodule XHP™ 2 CoolSiC™ von Infineon Technologies sind für Applikationen mit 1,7 kV bis 3,3 kV ausgelegt und verfügen über drei AC-Anschlüsse und vier DC-Anschlüsse. Die Bauteile dienen der Maximierung der Strombelastbarkeit. Dank der einfachen Skalierbarkeit der Frame-Größe der Bauteile XHP 2, die auf dem grundlegenden modularen Konzepts basiert, sind diese Module für zukünftige Chipgenerationen und schnell schaltende Bauteile geeignet und ermöglichen geringe Verluste. Diese Module bieten niedrige Schaltverluste und eine hohe Stromdichte, die durch ein Design mit geringer Induktivität ermöglicht wird. Mechanisch bieten die Module eine hohe Leistungsdichte in einem Gehäuse mit einem vergleichenden Tracking-Index (CTI) von mehr als 600, wodurch hohe Kriech- und Luftstrecken gewährleistet werden. Eine AlSiC-Basisplatte verbessert die Fähigkeiten im thermischen Zyklus, wodurch diese Module ideal für anspruchsvolle Applikationen geeignet sind.

Merkmale

  • Skalierbares Design
  • Niedrige Schaltverluste
  • Hochstrom/Leistungsdichte
  • Design mit niedriger Induktivität
  • Zuverlässigkeit auf höchstem Niveau
  • Polarität des N-Kanals
  • Schraubanschluss
  • Gehäuse mit CTI > 600
  • Doppelte Bauform
  • Große Kriech- und Luftstrecken
  • AlSiC-Grundplatte für erhöhte thermische Zyklusfähigkeit
  • AlN-Substrat mit niedrigem thermischer Widerstand

Applikationen

  • Traktionsanwendungen
  • Mittelspannungs (Medium-Voltage, MV)-Antriebe
  • Lösungen für Nutzfahrzeuge
  • Hochleistungswandler
  • Hochfrequenz-Schaltapplikation

Technische Daten

  • Drain-Source-Durchschlagspannung von 2,3 kV oder 3,3 kV
  • Bereich für Dauersenkenstrom von 500 A bis 2.000 A
  • Schwellenspannungsbereich von 3,45 V bis 5,15 V zwischen Gate und Quelle
  • Spannungsoptionen: -7 V/+20 V oder -10 V bis +23 V zwischen Gate und Quelle
  • Option für Durchlassspannung von 4,6 V oder 5 V
  • Widerstandsbereich zwischen 2,4 mΩ und 4,8 mΩ am Drain-Quelle-Übergang
  • Verlustleistung von 20 mW
  • Typischer Einschaltverzögerungszeit-Bereich von 2100 ns bis 490 ns
  • Anstiegszeit-Bereich von 95 ns bis 170 ns
  • Typischer Abschaltverzögerungszeit-Bereich 30 ns und 380 ns
  • Abfallzeit-Bereich von 60 ns bis 105 ns
  • Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis +150 °/+175 °C
  • Größe: 144 mm x 99,8 mm x 40 mm (L x B x H)

Ressourcen

Veröffentlichungsdatum: 2024-07-19 | Aktualisiert: 2025-10-28