Infineon Technologies 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 diskrete Transistoren
Die diskreten IGBT7 H7-Transistoren von Infineon 750 V TRENCHSTOP™) verfügen über ein DTO247 Gehäuse und ersetzen mehrere parallel geschaltete Transistoren mit niedrigerem Strom in Standard-TO247-Gehäusen. Das DTO247 Paket ist doppelt so groß wie ein Standard- TO247 Paket und ist mit den Architekturen DTO247und TO247-basiert innerhalb desselben Systems kompatibel, um eine verbesserte Flexibilität und Anpassung zu gewährleisten. Das TRENCHSTOP DTO247 Design ermöglicht Hochleistungsdichte und überbrückt gleichzeitig die Lücke zwischen TO247-basierten Designs und Modularchitekturen. Die 2 mm breiten Anschlüsse bieten eine optimale Leitfähigkeit, während die 10 mm große Kriechstrecke eine verbesserte Sicherheit und Zuverlässigkeit bietet. Das Gehäuse verfügt über eine 7 mm Pin-zu-Pin- Luftstrecke und einen integrierten Kelvin- Emitter -Pin für schnelleres und effizienteres Schalten. Diese 750 V Transistoren von Infineon dienen dazu, die Entwicklungszeit kosteneffektiver, skalierbarer Architekturen für Hochstrom- Applikationen zu vereinfachen und zu verkürzen, einschließlich Solar- Umrichter, Energie Speicher Systeme (ESS) und Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS).Merkmale
- DTO247 Gehäuse, doppelt so groß wie das Standard- TO247-Gehäuse, ersetzt mehrere parallelgeschaltete TO247- IGBTs mit niedrigerer Stromstärke.
- Aktiviert Hochleistungsdichte
- Kompatibel mit DTO247- und TO247-basierten Architekturen innerhalb desselben Systems für verbesserte Flexibilität und Anpassungsmöglichkeiten
- Optimale Leitfähigkeit
- Vereinfacht und verkürzt die Entwicklung von kostengünstigen, skalierbaren Architekturen
- Der integrierte Kelvin-Emitter-Pin ermöglicht ein schnelleres und effizienteres Schalten.
- Erhöhte Sicherheit und Zuverlässigkeit
- DTO247-basierte und standardmäßige TO247-basierte Architekturen können innerhalb desselben Systems kombiniert werden.
- Reduziert die Designkomplexität
- Überbrückt die Lücke zwischen TO247-basierten Designs und Modularchitekturen
- Reduziert den Parallelierungsaufwand
- Verbessertes Betriebsverhalten, Zuverlässigkeit und Wirtschaftlichkeit des Systems
Applikationen
- Umrichter
- UPS
- ESS
- Hochstrom
Technische Daten
- 750 V Spannungswerte
- Nennströme 200 A, 250 A, 300 A und 350 A
- 2 mm Zeilenbreite
- 7 mm Luftstrecke zwischen den Pins
- 10 mm Kriechstrecke
Applikation
Veröffentlichungsdatum: 2025-04-07
| Aktualisiert: 2025-12-01
