Infineon Technologies OptiMOS™ 5 Linear FET 2 MOSFETs

Die OptiMOS™ 5 Linear FET 2 MOSFETs von Infineon Technologies sind für Hot-Swap- und E-Fuse-Anwendungen optimiert und bieten eine außergewöhnliche Leistung mit sehr niedrigem On-Widerstand RDS(on) und einem breiten sicheren Betriebsbereich (SOA). Diese n-Kanal-MOSFETs mit normalem Pegel sind 100 % Avalanche-getestet und verfügen über eine bleifreie Beschichtung, die RoHS-Konformität gewährleistet. Darüber hinaus sind diese MOSFETs gemäß IEC61249-2-21 halogenfrei, was sie umweltfreundlich für anspruchsvolle Anwendungen macht.

Merkmale

  • Ideal für Hot-Swap- und E-Fuse-Anwendungen
  • Sehr niedriger On-Widerstand RDS(on)
  • Großer sicherer Betriebsbereich SOA
  • n-Kanal, normaler Pegel
  • 100 % Avalanche-getestet
  • Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
  • Halogen-frei gem. IEC61249-2-21

Applikationen

  • Hot-Swap-Anwendungen
  • E-Fuse Anwendungen

Applikations-Schaltungsdiagramm

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 Linear FET 2 MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2024-12-06 | Aktualisiert: 2024-12-22