Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75-V-100-V-MOSFETs für Fahrzeuge

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75-V- bis 100-V-MOSFETs für Fahrzeuge sind für Hochleistungsapplikationen ausgelegt und verfügen über eine erweiterte Qualifizierung, die über die AEC-Q101-Standards hinausgeht. Das n-Kanal-Anreicherungstyp-Bauteil kombiniert ein robustes Design mit fortschrittlicher Technologie und integriert die Eigenschaften eines Linear-FET (LINFET) und eines Low-RDS(on)-FET (ONFET) in einem einzigen Gehäuse. Diese Dual-Gate-Konfiguration bietet dedizierte Gate-Pins für jeden MOSFET, was die Flexibilität und Kontrolle beim Schaltungsdesign erhöht. Der Linear-FET zeichnet sich durch einen verbesserten sicheren Wirkbereich (SOA) und überlegene Parallelisierungsfähigkeiten aus, um einen zuverlässigen linearen Betrieb unter verschiedenen Bedingungen sicherzustellen. Die  OptiMOS™ 5 75-V- bis 100-V-MOSFETs von Infineon Technologiesarbeiten in einem großem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und sind in einem PG-HSOF-8-2-Gehäuse erhältlich. 

Merkmale

  • OptiMOS Leistungs-MOSFET für Fahrzeuganwendungen
  • Erweiterte Qualifizierung über AEC-Q101 hinaus
  • N-Kanal, Anreicherungsmodus, normaler Pegel
  • Verbesserte elektrische Prüfung
  • Robustes Design
  • Linearer FET (LINFET) und niedriger RDS(on) FET (ONFET) in einem Gehäuse
  • Dedizierte Gate-Pins für beide MOSFETs (Dual-Gate)
  • Linearer FET mit verbesserten SOA- und Parallelisierungseigenschaften für linearen Betrieb
  • Maximale Betriebstemperatur von +175 °C
  • RoHS-konform
  • 100 % Avalanche-getestet
  • Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 bis zu +260 °C Peak Reflow

Applikationen

  • Stromverteilung und Batteriemanagement (elektronische Sicherungen und Trennschalter)
  • Begrenzung des Einschaltstroms (Kondensatorladung, Motorstoßstrom)
  • Langsames Schalten zur Minimierung von Spannungstransienten und EMI (elektrische Katalysatorheizung)
  • Drain-Source-Spannungsbegrenzung (Ableitung von induktiver Energie, Überspannungsschutz)

Technische Daten

  • 80 V maximale Drain-Source-Spannung
  • 1,15 mΩ maximaler Drain-Source-On-Widerstand
  • 410 A maximaler Drainstrom
  • Einzelimpuls-Avalanche
    • 820 mJ maximale Energie
    • 300 A maximale Stromstärke
  • ±20 maximale Gate-Source-Spannung
  • 375 W maximale Verlustleistung
  • -55 °C bis +175 °C Betriebstemperaturbereich
  • Thermischer Widerstand
    • 0.40K/W maximal Sperrschicht-zu-Gehäuse
    • 14.8 K/W typischer Übergang zur Umgebung
  • PG-HSOF-8-2-Gehäuse

Applikations-Schaltung

Applikations-Schaltungsdiagramm - Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75-V-100-V-MOSFETs für Fahrzeuge
Veröffentlichungsdatum: 2024-11-05 | Aktualisiert: 2026-04-14