Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75-V-100-V-MOSFETs für Fahrzeuge

Die OptiMOS ™ 5-MOSFETs für Fahrzeuge von Infineon Technologies mit 75 V bis 100 V sind für Hochleistungsanwendungen konzipiert und verfügen über eine erweiterte Qualifikation, die über die AEC-Q101-Standards hinausgeht. Das N-Kanal-Bauelement im Anreicherungsmodus kombiniert ein robustes Design mit fortschrittlicher Technologie und vereint die Eigenschaften eines linearen FET (LINFET) und eines FET mit niedrigem RDS(on) (ONFET) in einem einzigen Gehäuse. Diese Dual-Gate-Konfiguration bietet dedizierte Gate-Pins für jeden MOSFET, was die Flexibilität und Kontrolle beim Schaltungsdesign erhöht. Der lineare FET verfügt über einen verbesserten sicheren Betriebsbereich (SOA) und überragende Parallelisierungsmöglichkeiten, die einen zuverlässigen linearen Betrieb unter verschiedenen Bedingungen gewährleisten. Die OptiMOS ™ 5-MOSFETs von Infineon Technologies für 75 V bis 100 V arbeiten in einem breiten Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und sind in einem PG-HSOF-8-2-Gehäuse erhältlich. 

Merkmale

  • OptiMOS Leistungs-MOSFET für Fahrzeuganwendungen
  • Erweiterte Qualifizierung über AEC-Q101 hinaus
  • N-Kanal, Anreicherungsmodus, normaler Pegel
  • Verbesserte elektrische Prüfung
  • Robustes Design
  • Linearer FET (LINFET) und LowRDS(on) FET (ONFET) in einem Gehäuse
  • Dedizierte Gate-Pins für beide MOSFETs (Dual-Gate)
  • Linearer FET mit verbesserten SOA- und Parallelisierungseigenschaften für linearen Betrieb
  • Maximale Betriebstemperatur von +175 °C
  • RoHS-konform
  • 100 % Avalanche-getestet
  • Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 bis zu +260 °C Peak Reflow

Applikationen

  • Stromverteilung und Batteriemanagement (elektronische Sicherungen und Trennschalter)
  • Begrenzung des Einschaltstroms (Kondensatorladung, Motorstoßstrom)
  • Langsames Schalten zur Minimierung von Spannungstransienten und EMI (elektrische Katalysatorheizung)
  • Drain-Source-Spannungsbegrenzung (Ableitung von induktiver Energie, Überspannungsschutz)

Technische Daten

  • 80 V maximale Drain-Source-Spannung
  • 1,15 mΩ maximaler Drain-Source-On-Widerstand
  • 410 A maximaler Drainstrom
  • Einzelimpuls-Avalanche
    • 820 mJ maximale Energie
    • 300 A maximale Stromstärke
  • ±20 maximale Gate-Source-Spannung
  • 375 W maximale Verlustleistung
  • -55 °C bis +175 °C Betriebstemperaturbereich
  • Thermischer Widerstand
    • 0.40K/W maximal Sperrschicht-zu-Gehäuse
    • 14.8 K/W typischer Übergang zur Umgebung
  • PG-HSOF-8-2-Gehäuse

Applikations-Schaltung

Applikations-Schaltungsdiagramm - Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75-V-100-V-MOSFETs für Fahrzeuge
Veröffentlichungsdatum: 2024-11-05 | Aktualisiert: 2024-11-12