Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75-V-100-V-MOSFETs für Fahrzeuge
Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75-V- bis 100-V-MOSFETs für Fahrzeuge sind für Hochleistungsapplikationen ausgelegt und verfügen über eine erweiterte Qualifizierung, die über die AEC-Q101-Standards hinausgeht. Das n-Kanal-Anreicherungstyp-Bauteil kombiniert ein robustes Design mit fortschrittlicher Technologie und integriert die Eigenschaften eines Linear-FET (LINFET) und eines Low-RDS(on)-FET (ONFET) in einem einzigen Gehäuse. Diese Dual-Gate-Konfiguration bietet dedizierte Gate-Pins für jeden MOSFET, was die Flexibilität und Kontrolle beim Schaltungsdesign erhöht. Der Linear-FET zeichnet sich durch einen verbesserten sicheren Wirkbereich (SOA) und überlegene Parallelisierungsfähigkeiten aus, um einen zuverlässigen linearen Betrieb unter verschiedenen Bedingungen sicherzustellen. Die OptiMOS™ 5 75-V- bis 100-V-MOSFETs von Infineon Technologiesarbeiten in einem großem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und sind in einem PG-HSOF-8-2-Gehäuse erhältlich.Merkmale
- OptiMOS Leistungs-MOSFET für Fahrzeuganwendungen
- Erweiterte Qualifizierung über AEC-Q101 hinaus
- N-Kanal, Anreicherungsmodus, normaler Pegel
- Verbesserte elektrische Prüfung
- Robustes Design
- Linearer FET (LINFET) und niedriger RDS(on) FET (ONFET) in einem Gehäuse
- Dedizierte Gate-Pins für beide MOSFETs (Dual-Gate)
- Linearer FET mit verbesserten SOA- und Parallelisierungseigenschaften für linearen Betrieb
- Maximale Betriebstemperatur von +175 °C
- RoHS-konform
- 100 % Avalanche-getestet
- Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 bis zu +260 °C Peak Reflow
Applikationen
- Stromverteilung und Batteriemanagement (elektronische Sicherungen und Trennschalter)
- Begrenzung des Einschaltstroms (Kondensatorladung, Motorstoßstrom)
- Langsames Schalten zur Minimierung von Spannungstransienten und EMI (elektrische Katalysatorheizung)
- Drain-Source-Spannungsbegrenzung (Ableitung von induktiver Energie, Überspannungsschutz)
Technische Daten
- 80 V maximale Drain-Source-Spannung
- 1,15 mΩ maximaler Drain-Source-On-Widerstand
- 410 A maximaler Drainstrom
- Einzelimpuls-Avalanche
- 820 mJ maximale Energie
- 300 A maximale Stromstärke
- ±20 maximale Gate-Source-Spannung
- 375 W maximale Verlustleistung
- -55 °C bis +175 °C Betriebstemperaturbereich
- Thermischer Widerstand
- 0.40K/W maximal Sperrschicht-zu-Gehäuse
- 14.8 K/W typischer Übergang zur Umgebung
- PG-HSOF-8-2-Gehäuse
Applikations-Schaltung
Veröffentlichungsdatum: 2024-11-05
| Aktualisiert: 2026-04-14
