Infineon Technologies Bidirektionale Schalter CoolGaN™ für mittlere Spannung
Infineon Technologies Mittelspannungs-CoolGaN™ Bidirektional-Schalter umfassen monolithische bidirektionale Schalter (BDS)'s, basierend auf Infineon´s Galliumnitrid-Technologie. Die Bauteile sind im Normalzustand ausgeschaltet und verfügen über ein einzelnes SCHOTTKY- GATE (SG), sowie die Fähigkeit, Spannungen und Ströme in beide Richtungen zu blockieren. Diese bidirektionalen Mittelspannungs-™ - Schalter von Infineon Technologies sind extrem klein und eignen sich daher hervorragend als Batterietrennschalter in verschiedenen Applikationen.
Merkmale
- 40 V bidirektionaler E-Mode-TRANSISTOR
- Bauform mit gemeinsamem Source
- Bidirektionale Blockierfähigkeit
- Niedriger On-Widerstand
- Qualifiziert gemäß JEDEC
- Passt in ein kleineres Gehäuse als eine doppelseitige Siliziumlösung
- 72 mW Leistungsverlustersparnis bei +25 °C
- Die Leistungsverlustreduzierung beträgt >100 mW bei hohen Temperaturen
Applikationen
- Lösungen für mobile Geräte und Smartphones
- Leistungsumwandlung
Gehäuse & Schaltungsdiagramme
Verwandte Schalter
Infineon Technologies CoolGaN™ 650 V G5 bidirektionale Schalter (BDS)
Monolithische GaN-Schalter, die Spannung und Strom in beide Richtungen aktiv blockieren können.
Veröffentlichungsdatum: 2026-03-04
| Aktualisiert: 2026-03-17