Infineon Technologies KIT_1EDB_AUX_GAN Evaluierungsboard

Das Evaluierungsboard KIT_1EDB_AUX_GAN von Infineon Technologies enthält einen isolierten Gate-Treiber-IC mit einer konfigurierbaren unipolaren oder bipolaren Hilfsspannung für GaN-HEMTs. Dieses Board bietet eine komplette kompakte und kostenoptimierte Treiberlösung für GaN HEMTs. Das Board KIT_1EDB_AUX_GAN unterstützt bis zu 1,5 W Ausgangsleistung, um Anwendungsszenarien mit unterschiedlichen GaN- und Schaltfrequenzen abzudecken. Dieses Board bietet einen kompatiblen Footprint zum einfachen Einstecken in bestehende Boards, einschließlich isolierter Einkanal-Gate-Treiber. Das Evaluierungsboard KIT_1EDB_AUX_GAN ist ideal für EV Off-Board-Ladegeräte, Solar-Mikro-Wechselrichter, industrielle Stromversorgungen und Server- und Telekommunikations-Schaltnetzteile (SMPS).

Merkmale

  • Bis zu 1,5 W Ausgangsleistung zur Abdeckung von Anwendungsszenarien mit unterschiedlichen GaN- und Schaltfrequenzen
  • Optimiert für bipolare Ansteuerungspegel, die typisch für GaN HEMTs sind
  • Isolierte Antriebslösung mit hohem CMTI für GaN HEMTs
  • 700 kHz bis 1.400 kHz Frequenzbereich
  • Direktes Einlöten in einen 8-poligen Footprint oder Einstecken über einen 1,27 mm Pitch Connector
  • 6 mA bis 110 mA Ausgangsstrom Bereich
  • 9 V bis 11,5 V Ausgangsspannungsbereich
  • 11,4 V bis 12 V Versorgungsspannungsbereich

Applikationen

  • Schaltnetzteile für Server und Telekommunikation (SMPS)
  • Mikro-Wechselrichter-Lösungen
  • EV Off-Board Ladegeräte
  • Solar-Mikrowechselrichter
  • Industrielle Netzteile (SNT und USV für Wohngebäude)
Veröffentlichungsdatum: 2025-02-06 | Aktualisiert: 2025-03-17