Infineon Technologies Integrierte 25V-Leistungsstufen mit hohem Wirkungsgrad
Infineon Technologies integrierte 25V-Leistungsstufen mit hohem Wirkungsgrad kombinieren eine moderne Niederspannungs-MOSFET-Technologie mit den neuesten Treiber-Designs. Die Leistungsstufen sind in bewährten Multichip-PQFN-Gehäusen untergebracht und bieten ein Bauteil mit erstklassigem Wirkungsgrad für die Verwaltung der Prozessorleistung. Die Integration der Treiber-, FET- und Gehäuse-Technologie zeichnet sich durch eine leistungsstarke Kombination der Leistungsfähigkeiten von Infineon und International Rectifier aus. Die Leistungsstufen dieses Portfolios sind in branchenüblichen 5 x 6 Footprints mit verschiedenen Nennströmen erhältlich und erfüllen die High-End- und Preis-Leistungsanforderungen.
Übersicht
Merkmale
- Kleine umspritzte PQFN-Gehäuse mit einem Rastermaß von 0,45 mm und einer Größe von 5 x 6 x 0,9 mm3
- Hochgenaue Strommeldung
- Programmierbares Dauerstrombegrenzungs-OCSET
- Schnelle Schalttechnologie für eine höhere Leistungsfähigkeit bei höherer Frequenz und verbessertem Spitzenwirkungsgrad
- Eingangsspannungsbereich von 4,25 V bis 16 V
- Ausgangsspannungsbereich von 0,25 V bis 5,5 V
- Ausgangsstrombelastbarkeit von bis zu 70 A
- Betrieb bis zu 1,5 MHz
- Optimiert für 5V-Antrieb
Applikationen
- Server und Speicher
- Telekommunikation
- Datenkommunikation
Wirkungsgrad - einschließlich Treiber, Controller und Induktivitätsverluste
Veröffentlichungsdatum: 2018-06-20
| Aktualisiert: 2022-09-29