Infineon Technologies HybridPACK™ DSC-S-Module mit SiC-MOSFET und NTC
HybridPACK ™ DSC-S-Module mit SiC-MOSFET und NTC von Infineon Technologies sind Hochleistungsmodule, die für anspruchsvolle Fahrzeuganwendungen insbesondere in Hybrid- und Elektrofahrzeugen (xEVs) entwickelt wurden. Dieses kompakte Halbbrückenmodul integriert Siliciumkarbid(SiC)-MOSFETs und einen NTC-Thermistor und ermöglicht so eine überlegene Effizienz und thermische Leistung. Mit einer Sperrspannung von 1.200 V und einem Nennstrom von 190 A unterstützen die Module dank der inhärenten Vorteile der SiC-Technologie Hochgeschwindigkeits-Schalten mit geringen Leitungs- und Schaltverlusten.
Dieses Modul verfügt über ein niederinduktives Design (<8 nh)="" und="" nutzt="" doppelseitige="" kühlung="" (dsc)="" für="" eine="" verbesserte="" wärmeableitung,="" wodurch="" ein="" betrieb="" bei="" sperrschichttemperaturen="" von="" bis="" zu="" +175="" °c="" möglich="" ist.="" ein="" aln-substrat="" gewährleistet="" einen="" niedrigen="" thermischen="" widerstand,="" während="" der="" integrierte="" ntc-sensor="" eine="" echtzeit-temperaturüberwachung="" zum="" systemschutz="" bereitstellt.="" der="" ff06mr12a04ma2="" ist="" rohs-konform,="" ul="" 94v-0-zertifiziert="" und="" nach="" den="" automobilstandards="" von="" infineon="" validiert,="" was="" das="" bauteil="" zu="" einer="" robusten="" und="" effizienten="" lösung="" für="" elektrische="" antriebssysteme="" der="" nächsten="" generation="">
Merkmale
- Elektrische Daten
- 1.200 V maximale Drain-Source-Spannung
- 190 A implementierter Drainstrom
- 380 A maximaler Durchlass-Ableitstrom
- Niederinduktives Design (≤8 nH)
- Niedriger Drain-Source-On-Widerstand
- Niedrige Schaltverluste
- Niedrige Gate-Gesamtladung und Rückwirkungskapazität
- Halbleitermaterial Siliciumkarbid (SiC)
- +175 °C Temperatur unter Schaltbedingungen
- Mechanische
- Isolierung für 1 s: 4,25 kVDC
- Kompaktes Design
- Hohe Leistungsdichte
- AIN-Substrat mit geringem thermischem Widerstand
- Integrierter NTC-Temperatursensor
- Modulrahmen mit UL 94-V0-Bewertung
- Qualifiziert nach IFX-Automobilstandard
- RoHS-konform
Applikationen
- Automobil
- Hybrid-Elektrofahrzeuge [(H)EV]
- Motorantriebe
Technische Daten
- MOSFET
- 1.200 V maximale Drain-Source-Spannung
- 190 A maximaler DC-Drainstrom
- 380 A maximaler gepulster Drainstrom
- Gate-Source-Spannung
- -5/20 V maximale statische Spannung
- -10/23V maximale Transientenspannung
- 18 V Gate-Spannung im EIN-Zustand
- -5 V Gate-Spannung im AUS-Zustand
- 14,50 mΩ maximaler Drain-Source-On-Widerstand
- 3,25 V bis 4,55 V Gate-Schwellenspannungsbereich
- 0,42 µC typische Gate-Gesamtladung
- 0,9 Ω interner Gate-Widerstand
- Typische Kapazität
- 10,1 nF Eingang
- 0,43 nF Ausgang
- 0,04 nF Rückwirkung
- Maximaler Ableitstrom
- 100 µA Drain-Source
- 100 nA Gate-Source
- Typische Zeit (induktive Last)
- 29 ns bis 32 ns Einschaltverzögerung
- 23 ns bis 25 ns Anstieg
- 228 ns bis 251 ns Ausschaltverzögerung
- 53 ns bis 62 ns Abfall
- Typischer Energieverlust pro Impuls
- 7,10 mJ bis 9,90 mJ Einschaltbereich
- 8,30 mJ bis 9,10 mJ Ausschaltbereich
- 0,251 K/W Sperrschicht-zu-Kühlmittel-Wärmewiderstand
- -40 °C bis +175 °C Temperaturbereich unter Schaltbedingungen
- Isolierungskoordination
- 4,25 kV Isolationsprüfspannung
- AIN interne Isolation
- Kriechstrecke
- 8,5 mm Anschluss-zu-Kühlkörper
- 4,3 mm Anschluss-zu-Anschluss
- Luftstrecke
- 8,5 mm Anschluss-zu-Kühlkörper
- 3,4 mm Anschluss-zu-Anschluss
- >600 Vergleichszahl zur Kriechwertbildung (CTI)
- 7,5 nH typische Streuinduktivität des Moduls
- 0,45 mΩ Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
- Body-Diode (MOSFET)
- 1.200 V maximale Drain-Source-Spannung
- 75 A maximaler DC-Body-Dioden-Durchlassstrom
- 380 A maximaler gepulster Body-Dioden-Strom
- 6,88 V maximale Durchlassspannung
- 43 A bis 98 A typischer Spitzenwert Sperrverzögerungsstrom
- 0,50 µC bis 3,40 µC wiederhergestellter Ladungsbereich
- 0,1 mJ bis 0,8 typische Sperrverzögerungsenergie
- NTC-Thermistor
- 5 kΩ typischer Nennwiderstand
- ±5 % Abweichung von R100
- 20 mW maximale Verlustleistung
- 3.375 K bis 3.433 K typischer B-Wert-Bereich
Schaltplan
