Infineon Technologies EVAL-2EP130R-PR-SiC Evaluierungsboard

Das EVAL-2EP130R-PR-SiC-Evaluierungsboard von Infineon Technologies bietet eine doppelte Ausgangs-Spitzengleichrichtung sowie eine anpassbare Ausgangsspannung für Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC). Alle 2EP1xx Produktvarianten sind pin-kompatibel und können mit entsprechend passenden Konfigurationseinstellungen in kundenspezifischen Designs verwendet werden. Der 2EP130R EiceDRIVER Transformatortreiber-IC ist auf dem Evaluierungsboard vormontiert, so dass alle Funktionen getestet werden können. Das Evaluierungsboard bietet alle notwendigen Versorgungs-, Last- und Signalverbindungen.

Merkmale

  • Evaluierungsboard für 2EP1xxR - 5 V 20 W Vollbrücken-Transformator-ICs
  • Großer 5 V bis 20 V Eingangsspannungsbereich
  • Ausgangsleistung von bis zu 5 W (abhängig vom Tastverhältnis)
  • Zwei isolierte Ausgangsversorgungsschienen mit Spitzengleichrichtungstopologie und einstellbarem Ausgangsspannungsverhältnis im Tastverhältnis
  • Großer Betriebsfrequenzbereich von 50 kHz bis 695 kHz mit dem internen Oszillator oder externer Pulsweitenmodulation (PWM)
  • Einstellbarer Überstrom-Schwellenwert
  • Kurzschlussschutz am Stromausgang
  • Übertemperaturschutz
  • RDY-Statusausgang für normalen Betrieb
  • Isolierte Versorgung für zwei Gate-Treiber-ICs
  • Abmessungen: 90 mmm x 37 mmm

Applikationen

  • Kommerzielle HLK
  • Energiespeichersysteme
  • EV-Ladung
  • Industrielle Motorantriebe und Steuerungen
  • Photovoltaik

Technische Daten

  • 5 V bis 22 V Betriebsversorgungsspannungsbereich
  • ±35 V maximaler Ausgangsspannungsbereich
  • ±800 V maximales Eingangs-/Ausgangsverhältnis zwischen den Ausgangsschienen
  • 2 mA bis 400 mA maximaler Ausgangsstrombereich
  • Bypass-Signal
    • Spannungsbereich von 0 V bis 5,5 V
    • 50 kHz bis 695 kHz Frequenzbereich

Vereinfachter Schaltplan

Schaltplan - Infineon Technologies EVAL-2EP130R-PR-SiC Evaluierungsboard
Veröffentlichungsdatum: 2024-12-02 | Aktualisiert: 2024-12-12