Infineon Technologies CoolSiC™ 1.400-V-SiC-G2-MOSFETs
Infineon Technologies CoolSiC™ 1.400 V Siliciumcarbid (SiC) G2 MOSFETs werden in einem TO-247PLUS-4 Reflow- Gehäuse angeboten. Diese Infineon MOSFETs eignen sich ideal für Anwendungen mit hoher Ausgangsleistung, wie z. B. das Laden von Elektrofahrzeugen (EV), Batterie Energie Speicher Batteriespeichersysteme (BESS), Nutzfahrzeuge / Baufahrzeuge / Landwirtschaftliche Fahrzeuge (CAV) und mehr. CoolSiC™ MOSFET G2 1.400 V Technologie ist eine Spitzentechnologie die verbessertes thermisches Betriebsverhalten eine erhöhte Leistungsdichte und eine gesteigerte Zuverlässigkeit bietet. Das Paket beinhaltet Reflow Fähigkeit (3x Reflow-Löten möglich), wodurch ein niedrigerer thermischer Widerstand ermöglicht wird.
Merkmale
- Sehr niedrige Schaltverluste
- Die Rückseite der Verpackung ist für das Reflow-Löten bei +260 °C geeignet, 3-mal.
- Überlastsbetrieb bis Tvj = +200 °C
- 2µs Kurzschlussfestigkeit
- 4,2 V Gate-Schwellenspannungs-Referenzwert
- Erhöhte Leistungsdichte und System-Ausgangsleistung
- Robustheit gegen parasitäres Einschalten, eine 0 V Abschalt-GATE-Spannung kann angelegt werden
- Robuste Body-Diode für harte Kommutierung
- Robust gegen den Miller-Effekt
- Crss.XT-Verbindungstechnologie für erstklassige thermische Leistung
- Verbesserter Wirkungsgrad
- Einfache Parallelschaltung
- Robust gegen vorübergehende Überlastungen und Lawinenbedingungen
- Breite Stromversorgungs-Pins von 2 mm für hohe Stromstärke und Leistung.
- Resistive schweißbare Stifte für direkte Sammelschienenverbindungen
- TO247PLUS (PG-TO247-4-U08) Gehäuse mit einer hohen 10,8 mm Kriechstrecke und CTI ≥ 600 V
- Qualifiziert für Industrieapplikationen gemäß JEDEC47/20/22
- Bleifrei, halogenfrei und RoHS-konformes Green Device (umweltfreundlich)
Applikationen
- CAV
- EV-Ladung
- Online-/industrielle unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- Stringwechselrichter
- BESS
- Universal-Treiber (GPD)
Technische Daten
- 1.400 V maximale Drain-Source-Spannung
- 5,5 V maximale Drain-Source-Sperrspannung
- Kontinuierlicher DC Drain-Strom-Bereich
- 147 A bis 207 A für IMYR140R008M2H
- 71 A bis 100 A für IMYR140R019M2H
- 213 A (IMYR140R019M2H) oder 441 A (IMYR140R008M2H) Spitzen-Drainstrom
- Maximale Gate-Source -Spannungsbereiche
- Bereich der Transientenspannung von -10 V bis 25 V
- -7 V bis 23 V statischer Spannungsbereich
- Avalanche-Energie
- 1159 mJ Einzelpuls und 5,8 mJ wiederholter Puls für IMYR140R008M2H
- 506 mJ Einzelpuls und 2,5 mJ wiederholter Puls für IMYR140R019M2H
- 2 µs maximale Kurzschlusszeit
- Verlustleistung
- 360 W bis 710 W für IMYR140R008M2H
- 192 W bis 385 W für IMYR140R019M2H
- Empfohlene GATE -Spannungsbereiche
- 15 V bis 18 V für IMYR140R008M2H
- -5 V bis 0 V für IMYR140R019M2H
- 23,4 mΩ (IMYR140R008M2H) oder 53,8 mΩ (IMYR140R019M2H) maximaler Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand
- 5,1 V maximale Gate-Source- Schwellenspannung
- 300 µA (IMYR140R019M2H) oder 690 µA (IMYR140R008M2H) Maximaler Nullspannungs-Drainstrom
- ±120 nA maximaler Gate-Ableitstrom
- 27 S (IMYR140R019M2H) oder 63 S (IMYR140R008M2H) typische Transkonduktanz
- 2,1 Ω (IMYR140R019M2H) oder 4,4 Ω (IMYR140R008M2H) typischer interner Gate-Widerstand
- Typische Kapazitäten
- 2.860 pF (IMYR140R019M2H) oder 6.450 pF (IMYR140R008M2H) Eingang
- 99 pF (IMYR140R019M2H) oder 225 pF (IMYR140R008M2H) Ausgang
- 9 pF (IMYR140R019M2H) oder 20 pF (IMYR140R008M2H) Sperrübertragung
- 172nC (IMYR140R019M2H) oder 394nC (IMYR140R008M2H) typische Ausgangsleistungsladung
- Typische effektive Ausgangskapazität
- 197 pF (IMYR140R019M2H) oder 447 pF (IMYR140R008M2H) Energiebezogen
- 215 pF (IMYR140R019M2H) oder 493 pF (IMYR140R008M2H) zeitbezogen
- 90 nC (IMYR140R019M2H) oder 203 nC (IMYR140R008M2H) Gate-Gesamtladung
- 30 nC (IMYR140R019M2H) oder 67 nC (IMYR140R008M2H) Plateau-Gateladung
- elektrische Ladung von 18 nC (IMYR140R019M2H) oder 40 nC (IMYR140R008M2H) von Gate zu Drain
- Typische Zeit
- Einschaltverzögerung von 9 ns (IMYR140R019M2H) oder 31 ns (IMYR140R008M2H)
- Anstieg von 4,7 ns (IMYR140R019M2H) oder 17 ns (IMYR140R008M2H)
- Einschaltverzögerung von 23 ns (IMYR140R019M2H) oder 80 ns (IMYR140R008M2H)
- Abfall 9,5 ns (IMYR140R019M2H) oder 34 ns (IMYR140R008M2H)
- Typische Energie bei +25 °C
- 548 µJ (IMYR140R019M2H) oder 2720 µJ (IMYR140R008M2H) Einschaltleistung
- Abschaltleistung von 120 µJ (IMYR140R019M2H) bzw. 1980 µJ (IMYR140R008M2H).
- 918 µJ (IMYR140R019M2H) oder 5100 µJ (IMYR140R008M2H) Gesamtschaltmoment
- Die typische MOSFET-Vorwärtswiederherstellungsladung bei +25 °C beträgt 0,13 µC (IMYR140R019M2H) bzw. 0,18 µC (IMYR140R008M2H).
- 9,6 A (IMYR140R019M2H) bzw. 16 A (IMYR140R008M2H) sind der typische MOSFET-Spitzen-Vorwärts-Erholungsstrom bei +25 °C.
- Der typische MOSFET-Spitzen-Vorwärts-Erholungsstrom beträgt 250 µJ (IMYR140R019M2H) oder 400 µJ (IMYR140R008M2H) bei +25 °C.
- Thermischer Widerstand
- Sperrschicht-zu-Umgebung maximal 62 K/W
- 0.21K/W bis 0.39K/W maximaler MOSFET/Body -Diode- Übergang-zu-Gehäuse -Bereich
- +260 °C maximale Löttemperatur
- Lebensdauer von bis zu 5000 Zyklen
Datenblätter
Schaltschema
Veröffentlichungsdatum: 2025-09-25
| Aktualisiert: 2025-11-03