Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V Leistungs-MOSFETs
Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V-Leistungs-MOSFETs sind gemäß dem Superjunction (SJ)-Prinzip ausgelegt, um geringe Schalt- und Leitungsverluste zu bieten. Diese MOSFETs eignen sich aufgrund der Kommutierungsrobustheit des Bauteils für hart- und weichschaltende Topologien. Die CoolMOS™ CM8 650 V-MOSFETs verfügen über ein schnelles Design-In durch eine niedrige Überschwingungstendenz und Verwendung über die PFC- und PWM-Stufen. Diese MOSFETs ermöglichen ein vereinfachtes Wärmemanagement durch eine fortschrittliche Befestigungstechnologie. Die CoolMOS™ CM8 650 V-MOSFETs sind RoHs-konform und gemäß JEDEC-Standards vollständig für Industrieapplikationen qualifiziert. Zu den typischen Applikationen gehören LLC-Resonanzwandler, KI-Server, Telekommunikations-Netzteile und Rechenzentren.Merkmale
- 650 V SJ-MOSFET-Leistung
- Geeignet für harte und weiche Schalttopologien
- Integrierte schnelle Bodydiode und ESD-Schutz
- Crss.XT-Verbindungstechnologie für eine verbesserte thermische Leistung
- Vereinfachtes Wärmemanagement durch eine fortschrittliche Chip-Befestigungstechnik
- Schnelles Design-in durch niedrige Überschwingungsneigung und Verwendung über PFC- und PWM-Stufen
- Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte, die mit einem kleineren Footprint ermöglicht werden
- RoHS-konform
- Gemäß JEDEC-Standards vollständig für Industrieapplikationen qualifiziert
Applikationen
- Netzteile und Wandler
- PFC-Stufen und LLC-Resonanzwandler
- Rechenzentren
- KI-Server
- Telekommunikations-Netzteile
Veröffentlichungsdatum: 2025-04-25
| Aktualisiert: 2025-06-03
