Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V-Leistungs-MOSFETs sind gemäß dem Superjunction (SJ)-Prinzip ausgelegt, um geringe Schalt- und Leitungsverluste zu bieten. Diese MOSFETs eignen sich aufgrund der Kommutierungsrobustheit des Bauteils für hart- und weichschaltende Topologien. Die CoolMOS™ CM8 650 V-MOSFETs verfügen über ein schnelles Design-In durch eine niedrige Überschwingungstendenz und Verwendung über die PFC- und PWM-Stufen. Diese MOSFETs ermöglichen ein vereinfachtes Wärmemanagement durch eine fortschrittliche Befestigungstechnologie. Die CoolMOS™ CM8 650 V-MOSFETs sind RoHs-konform und gemäß JEDEC-Standards vollständig für Industrieapplikationen qualifiziert. Zu den typischen Applikationen gehören LLC-Resonanzwandler, KI-Server, Telekommunikations-Netzteile und Rechenzentren.

Merkmale

  • 650 V SJ-MOSFET-Leistung
  • Geeignet für harte und weiche Schalttopologien
  • Integrierte schnelle Bodydiode und ESD-Schutz
  • Crss.XT-Verbindungstechnologie für eine verbesserte thermische Leistung
  • Vereinfachtes Wärmemanagement durch eine fortschrittliche Chip-Befestigungstechnik
  • Schnelles Design-in durch niedrige Überschwingungsneigung und Verwendung über PFC- und PWM-Stufen
  • Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte, die mit einem kleineren Footprint ermöglicht werden
  • RoHS-konform
  • Gemäß JEDEC-Standards vollständig für Industrieapplikationen qualifiziert

Applikationen

  • Netzteile und Wandler
  • PFC-Stufen und LLC-Resonanzwandler
  • Rechenzentren
  • KI-Server
  • Telekommunikations-Netzteile
Veröffentlichungsdatum: 2025-04-25 | Aktualisiert: 2025-06-03