Infineon Technologies BGS15MU14 SP5T-Schalter mit hoher Isolierung
Der Infineon Technologies BGS15MU14 SP5T-Schalter mit hoher Isolierung verfügt über einen geringen Stromverbrauch, eine geringe Einfügungsdämpfung und eine niedrige Oberwellenerzeugung von bis zu 6 GHz. Dieser Schalter ist speziell für LTE- und 5G-Feedback-Empfangsapplikationen ausgelegt und wird über den MIPI-RFFE-Controller gesteuert. Der BGS15MU14 Schalter mit hoher Isolierung bietet die Leistung von GaAs mit der Wirtschaftlichkeit und Integration von herkömmlichen CMOS, einschließlich einer hohen ESD-Robustheit. Dieser Schalter wird bei einem Versorgungsspannungsbereich von -0,5 V bis 2,2 V, einem Versorgungsstrom von 100 μA und einer Eingangsleistung von 20 dBm betrieben. Der BGS15MU14 Schalter mit hoher Isolierung wird bei einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C gelagert und bei einer Sperrschichttemperatur von +125 °C betrieben.
Merkmale
- Hohe Linearität
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Geringe Einfügungsdämpfung und hohe Anschluss-zu-Anschluss-Isolierung von bis zu 6 GHz
- Geringe Stromaufnahme
- MIPI RFFE 2.1-konforme Steuerschnittstelle
- Bleifreies Kunststoffgehäuse mit extrem niedrigem Profil
- Kleine Baugröße von 1,5 mm x 1,9 mm
- RoHS- und WEEE-konformes Gehäuse
Technische Daten
- Versorgungsspannungsbereich: -0,5 V bis 2,2 V
- Versorgungsstrom: 100 µA
- Hohe Eingangslinearitätsleistung: 20 dBm
- Versorgungsspannungsbereich: 1,65 V bis 1,95 V
- Frequenzbereich: 0,4 GHz bis 6 GHz
- Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
- Sperrschichttemperatur: 125 °C
- Umgebungstemperaturbereich: -40 °C bis +85 °C
Blockdiagramm
Veröffentlichungsdatum: 2020-10-13
| Aktualisiert: 2024-12-03