Infineon Technologies IGBT-EDT2-Einzelbauelemente für die Fahrzeugtechnik

Die IGBT-EDT2-Einzelbauelemente für Fahrzeugtechnik von Infineon Technologies bieten eine 750-V-IGBT-Technologie, die die Energieeffizienz für Antriebsstranganwendungen in Fahrzeugen erheblich verbessert. Die Technologie unterstützt Zwischenkreisspannungen bis zu 470 V und zeichnet sich durch bemerkenswert niedrige Schalt- und Leitungsverluste aus. EDT2-Technologie hat eine extrem enge Parameterverteilung und einen positiven Wärmekoeffizienten. Dies ermöglicht einen einfachen Parallelbetrieb und bietet Systemflexibilität und Leistungsskalierbarkeit für endgültige Designs. Die EDT2-IGBTs von Infineon Technologies sindAEC-Q101-qualifiziert und können eine höhere Sperrspannung und 20 % niedrigere Sättigungsspannung als die etablierte IGBT3-Baureihe aufweisen. Die Optimierung der Zellstruktur ermöglicht das Schalten mit hohen Gradienten. Ein robustes und widerstandsfähiges Design vermeidet Verriegelungen und ermöglicht einen ausreichenden Kurzschlussschutz.

Merkmale

  • optionen
    • AIKQB – Kurzschlussfester 750-V-EDT2-IGBT im reflow-lötbaren Gehäuse
    • AIKYX – Duo-Pack EDT2™ IGBT und emittergesteuerte Diode im TO247PLUS-Gehäuse
  • 750 V Sperrspannung
  • Überlegene Leistung bei leichter Last
  • +175 °C maximale Sperrschichttemperatur
  • 120 A bis 200 A Kollektorstrombereich
  • Selbstbegrenzender Strom unter Kurzschlussbedingungen
  • Herausragende Stromaufteilung im parallelen Betrieb
  • Sehr niedrige VCEsat
  • Niedrige Schaltverluste
  • Niedrige EMI-Signatur
  • Pins
    • Widerstandsschweißbare Stifte für direkte Stromschienenverbindungen (AIKQB)
    • Breite Stromanschlüsse (2 mm) für Hochstromschienen (AIKYX)
  • Hohe Zuverlässigkeit und Betriebsdauer
  • Hohe Widerstandsfähigkeit (z.B. Überlast) und extrem robust
  • Positiver Wärmekoeffizient und sehr enge Parameterverteilung für einfache Parallelschaltung
  • Ermöglicht Batteriespannungen bis zu 470 V für eine deutliche Effizienzsteigerung und geringeren Kühlungsaufwand
  • hohe Schaltfrequenzen
  • Niedrige Gate-Ladung (QG)
  • Weiche Schalteigenschaften
  • Einfaches Gate-Treiber-Design
  • Geringe Verlustleistung bei hohem Nennstrom
  • Einfach für Systeme in parallelen Anwendungen
  • TO247PLUS-Gehäuse mit hoher Kriechstrecke (6,6 mm für AIKYX)
  • Halogenfrei und RoHS-konform
  • Bleifrei, grünes Gerät (nur AIKQB)

Applikationen

  • Haupt-Wechselrichter
  • Schalter für die Zwischenkreisentladung
  • DC/DC-Wandler
  • Hilfsantriebe
  • Motorantriebe

Diagramme

Technische Zeichnung - Infineon Technologies IGBT-EDT2-Einzelbauelemente für die Fahrzeugtechnik
Veröffentlichungsdatum: 2025-01-14 | Aktualisiert: 2025-01-21