Infineon Technologies S80KS5122 & S80KS5123 HYPERRAM™ 2,0 Speicher
Infineon Technologies S80KS5122 und S80KS5123 HYPERRAM ™ 2,0 Speicher hat eine hohe Geschwindigkeit, einen niedrigen Pin-Count, einen selbst-aktualisierenden Dynamic RAM (DRAM), für hochleistungsfähige eingebettete Systeme, die eine Erweiterung Speicher für Scratchpad- oder Pufferzwecke erfordern. HYPERRAM Produkte unterstützen JEDEC JESD251 Profil konforme HYPERBUS™ und Octal xSPI-Schnittstellen, die auf die Legacy-Funktionen von parallelen und Serielle Schnittstelle zurückgreifen und gleichzeitig die Systemleistung und das einfache Design verbessern, während die Systemkosten gesenkt werden. Die Architektur mit einer niedrigen Pin-Anzahl macht das HYPERRAM besonders geeignet für Applikationen mit einer begrenzten Leistung und Platz auf der Platine, die externes RAMaußerhalb des Chips erfordern.
Die Infineon Technologies S80KS5122 und S80KS5123 HYPERRAM sind entweder mit einer HYPERBUS- oder einer Oktal-xSPI-Schnittstelle erhältlich.
Merkmale
- 8-Bit-Datenbus
- 512 MB Dichte
- Schnittstelle
- S80KS5122: HYPERBUS (x8)
- S80KS5123: Oktales xSPI (x8)
- 200MHz
- 1,8 V Versorgungsspannung
- Optionen für den Temperaturbereich
- Industriell (-40°C bis +85°C)
- Industrie Plus (-40°C bis +105°C)
- Auto Klasse 3 (-40°C bis +85°C)
- Auto Grad 2 (-40°C bis +105°C)
- Auto Klasse 1 (-40°C bis +125°C)
- 6 mm x 8 mm BGA-24-Gehäuse
Applikationen
- Automobil-Kombiinstrumente, Infotainment- und Telematiksysteme
- Industrielle Maschinen-Vision
- HMI-Anzeigetafeln für Industrie und Verbraucher
- Tragbare Verbrauchergeräte
- Kommunikationsmodule
Logikblockdiagramm (S80KS5122)
Logikblockdiagramm (S80KS5123)
Veröffentlichungsdatum: 2022-03-21
| Aktualisiert: 2023-04-25