Infineon Technologies S80KS2562 & S80KS2563 256 Mb HYPERRAM™ 2.0 Speicher.
Infineon Technologies S80KS2562 und S80KS2563 HYPERRAM ™ 2.0 Speicher sind schnelle, Niedrig-Pinanzahl, stromsparende selbst-aktualisierende dynamische RAM (DRAM) mit einer HyperBUS (S80KS2562) oder Octal xSPI (S80KS2563)-Schnittstelle. Beide Bauteile verfügen über einen 200 MHz maximalen Taktgeber, einen Datendurchsatz von bis zu 400MBps und energiesparende Hybrid-Sleep- und einem Deep Power-Down- Modi. Die S80KS2562 und S80KS2563 HyperRAM sind ideale eingebettete Hochleistungssysteme, die einen erweiterten Speicher für den Zwischenspeicher oder die Pufferung erfordern.
Die Hyperbus und Octal xSPI-Schnittstellen, die von HYPERRAM Produkten unterstützten werden, nutzen die Legacy-Funktionen paralleler und serieller Schnittstellen. Sie verbessern gleichzeitig die Systemleistung und das einfache Design, sowie die Reduzierung der Systemkosten.
Die Architektur mit einer niedrigen Pinanzahl macht HYPERRAM besonders geeignet für Applikationen mit einer begrenzten Leistung und Platz auf der Platinen, die externe RAMaußerhalb des Chips erfordern.
S80KS2562 und S80KS2563 256 Mb HYPERRAM-Speicher von Infineon Technologies sind in einem 24-ball Fine-Pitch Ball Raster Array (FBGA)-Gehäuse erhältlich.
Merkmale
- Technologie: 25 nm DRAM
- Schnittstelle
- S80KS2562: HyperBUS™-Schnittstelle
- S80KS2563: xSPI (Oktal)-Schnittstelle
- 1,8 V Schnittstellenunterstützung
- Single-ended Taktgeber (CK) mit 11 BUS-SIGNALE
- Optionales Differenzial Taktgeber (CK, CK#) mit 12 BUS-SIGNALE
- Chipauswahl (CS#)
- 8-Bit-Datenbus (DQ[7:0])
- Hardware-Reset (RESET#)
- Bidirektionales Strobe-Signal zum Lesen und Schreiben von Daten (Read-Write Data Strobe, RWDS)
- Ausgang zu Beginn aller Transaktionen, um die Aktualisierungslatenz anzuzeigen.
- Ausgang bei Lesevorgängen als Lesedatenabtastung
- Eingang bei Schreibvorgängen als Schreibdatenmaske
- Array-Aktualisierung
- Array Speicherarray
- Voll
- Leistung
- 22mA/25mA Burst-Lese-/ Schreibstromverbrauch
- Hybrid-Schlafmodus
- Deep Leistungs-Down-Modus
- Leistung
- 200 MHz maximale Taktgeber
- 35 ns maximale Zugriffszeit
- DDR: Überträgt Daten an beiden Flanken des Taktgebers
- Datendurchsatz bis zu 400MBps (3200 Mbps)
- Konfigurierbare Burst-Eigenschaften
- Linearer Burst
- Wrap-Burst-Längen
- 16 Byte (8 Taktgeber)
- 32 Byte (16 Taktgeber)
- 64 Byte (32 Taktgeber)
- 128 Byte (64 Taktgeber)
- Hybrid-Option: Ein Wrapped-Burst, gefolgt von einem linearen Burst.
- Konfigurierbare Ausgangsantriebsstärke.
- Gehäuse
- 6,0 mm x 8,0 mm FBGA-24 Gehäuse, 1,0 mm Raster
Applikationen
- Automobil-Kombiinstrumente, Infotainment- und Telematiksysteme
- Industrie- und Verbraucher HMI DISPLAY-Paneele
- Industrielle Maschinen-Vision
- Bauteile Verbrauchergeräte
- Kommunikationsmodule
Videos
Logikschaltung – Blockdiagramm
Verwandte Produkte
Infineon Technologies S27KS064x und S27KL064x HYPERRAM™ 2,0 Speicher
Hochgeschwindigkeits-DRAMs mit niedriger Pinzahl für leistungsstarke Embedded-Systeme, die einen Erweiterungsspeicher erfordern.