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Infineon Technologies S27KS064x und S27KL064x HYPERRAM™ 2,0 Speicher

Die S27KS064x und S27KL064x HYPERRAM™ 2.0-Speicher von Infineon Technologies sind Hochgeschwindigkeits-DRAMs mit niedriger Pinzahl für leistungsstarke Embedded-Systeme, die einen Erweiterungsspeicher erfordern. Diese Bauteile bieten HYPERBUS™ - und Octal-SPI-Schnittstellen, die auf den älteren Funktionen von sowohl parallelen als auch seriellen Schnittstellenspeicher basieren. Diese DRAMs arbeiten in einem Spannungsbereich von 1,8 V bis 3 V und bieten eine Durchsatz-Bandbreite von bis zu 400 MBps. Dadurch ist HYPERRAM™ 2.0 der ideale Erweiterungsspeicher für Controller mit begrenztem On-Board-RAM. Wenn der HYPERRAM™ 2.0 als Scratchpad-Speicher verwendet wird, ermöglichen die schnellen Lese-und Schreibvorgänge eine schnelle Ausgabe hochauflösender Grafiken. Zu den typischen Applikationen gehören Automotive-Kombiinstrumente, industrielle Human-Machine-Schnittstelle (HMI), industrielle Machine-Vision und Display-Systeme für die Unterhaltungselektronik.

Der S27KS064x und S27KL064x HyperRAM 2.0 DRAM von Infineon Technologies wird in einem verstärkten Ball-Grid-Array-Gehäuse (BGA) angeboten.

Merkmale

  • Technologie: 38 nm DRAM
  • HYPERBUS-Schnittstelle
  • 8 V bis 3,0 V Schnittstellenunterstützung
    • Einendiger Taktgeber (CK) – 11 Bus-Signale
    • Optionaler Differential-Taktgeber (CK, CK#) – 12 Bus-Signale
  • Chipauswahl (CS-Nr.)
  • 8-Bit-Datenbus (DQ[7:0])
  • Hardware-Reset (RESET#)
  • Bidirektionales Strobe-Signal zum Lesen und Schreiben von Daten (Read-Write Data Strobe, RWDS):
    • Ausgabe am Anfang aller Transaktionen, um die Aktualisierungslatenz anzuzeigen
    • Ausgabe bei Lesetransaktionen als Strobe-Signal zum Lesen
    • Eingabe bei Schreibtransaktionen als Schreibdatenmaske
  • Optionales mittig ausgerichtetes DDR-Strobe-Signal zum Lesen (DCARS)
    • Während Lesetransaktionen wird RWDS durch einen zweiten Taktgeber kompensiert, der vom CK phasenverschoben ist
    • Der phasenverschobene Taktgeber wird verwendet, um die RWDS-Übergangsflanke innerhalb des Lesedatenauges zu bewegen
  • Maximale Taktrate: 200 MHz
  • DDR – Übertragungsdaten auf beiden Taktflanken
  • Datendurchsatz bis zu 400MBps (3.200 Mbps)
  • Konfigurierbare Burst-Eigenschaften, linearer Burst
  • Wrap-Burst-Längen
    • 16 Byte (acht Taktgeber)
    • 32 Byte (16 Taktgeber)
    • 64 Byte (32 Taktgeber)
    • 128 Byte (64 Taktgeber)
  • Hybrid-Option – ein Wrap-Burst gefolgt von einem linearen Burst
  • Konfigurierbare Ausgangsantriebsstärke
  • Leistungsmodi
    • Hybrid-Schlafmodus
    • Deep-Power-Down-Funktion
  • Array-Aktualisierung
    • Teilspeicher-Array (1/8, 1/4, 1/2)
    • Voll
  • Betriebstemperaturbereich
    • Industrie (I): -40 °C bis +85 °C
    • Industrie Plus (V): -40 °C bis +105 °C
    • Automotive, AEC-Q100 Klasse 3: -40 °C bis +85 °C
    • Automotive, AEC-Q100 Klasse 2: -40 °C bis +105 °C
  • FBGA24-Gehäuse von 6,0 mm x 8,0 mm x 1,0 mm

Applikationen

  • Automotive-Kombiinstrumente
  • Displaysysteme für Unterhaltungselektronik
  • Unterhaltungselektronik- und Industrie-HMI
  • Industrielle maschinelle Bildverarbeitung

Videos

Logikschaltung – Blockdiagramm

Blockdiagramm - Infineon Technologies S27KS064x und S27KL064x HYPERRAM™ 2,0 Speicher

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Veröffentlichungsdatum: 2020-02-24 | Aktualisiert: 2024-09-27