Infineon Technologies S25FL512S FL-S NOR-Flash-Speicherbauteile

Die Cypress S25FL512S FL-S NOR-Flash-Speicherbauteile sind nichtflüchtige VIO VCC Flash-Speicherbauteile von 2,7 V bis 3,6 V. Diese Bauteile verwenden die 65-nm-MirrorBit-Technologie. Mit der Eclipse™-Architektur mit einem 512-Byte-Seitenprogrammierungs-Buffer ausgelegt. Der 512 Mb S25FL512S FL-S NOR ermöglicht Benutzern die Programmierung von bis zu 256 Wörtern (512 Bytes) in einem einzigen Betrieb. Dies führt zu einer schnelleren, effektiveren Programmierung und Löschung gegenüber SPI-Programmen oder Lösch-Algorithmen der früheren Generation. Das Bauteil verbindet sich über eine SPI mit einem Host-System und unterstützt einen herkömmlichen seriellen SPI-Einzelbit-Eingang und -Ausgang. Optionale serielle Zwei-Bit-Befehle (Dual-I/O oder DIO) und Vier-Bit-Befehle (Quad-I/O oder QIO). Der S25FL512S FL-S NOR bietet Unterstützung für Lesebefehle mit doppelter Datenrate für SIO, DIO und QIO, die Adressen übertragen. 

Die S25FL512S FL-S übertragen Adress- und Lesedaten auf beiden Flanken des Takts. Durch die Verwendung von FL-S-Bauteilen bei mit QIO- oder DDR-QIO-Befehlen unterstützten höheren Taktraten kann der Befehl für die Lese-Übertragungsrate mit herkömmlichen parallelgeschalteten Schnittstellen, asynchronen NOR-Flash-Speichern übereinstimmen, während gleichzeitig die Anzahl der Signale drastisch reduziert wird. Der S25FL512S FL-S NOR verfügt über Leistungsfähigkeiten mit hoher Dichte zusammen mit der Flexibilität und Geschwindigkeit, die für zahlreiche Embedded-Applikationen erforderlich sind. Der S25FL512S FL-S NOR eignet sich hervorragend für Code-Shadowing, XIP und Datenspeicherung.

Merkmale

  • CMOS 3.0-Volt-Core mit vielseitigem I/O
  • Serielle Peripherieschnittstelle mit Multi-I/O
  • Dichte
    • 512Mbits (64Mbytes)
  • Serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
    • SPI-Taktpolarität und Phasenmodi 0 und 3
    • Option für doppelte Datenrate (DDR)
    • Erweiterte Adressierung: 32-Bit-Adresse
    • Serieller Befehlssatz und Footprint-kompatibel mit S25FL-A, S25FL-K und S25FL-P SPI-Produktfamilien
    • Multi-I/O-Befehlssatz und Footprint-kompatibel mit S25FL-P SPI-Produktfamilie
  • LESE-Befehle
    • Normal, Schnell, Dual, Quad, Schnelle DDR, Dual-DDR, Quad-DDR
    • Automatisches Hochfahren – Einschalten oder Zurücksetzen und automatische Ausführung eines normalen oder Quad-Lesebefehls bei einer vorausgewählten Adresse
    • Gemeinsame Flash-Schnittstellendaten (CFI) für Konfigurationsinformationen
  • Programmierung (1,5 Mb/s)
    • 512-Byte-Seitenprogrammierungs-Buffer
    • Quad-Eingangs-Seitenprogrammierung (QPP) für langsame Taktsysteme
    • Automatische Codegenerierung für ECC-interne Hardware-Fehlerbehebung mit Einzelbit-Fehlerbehebung
  • Löschen (0,5 bis 0,65 Mb/s)
    • Einheitliche 256-KByte-Sektoren
  • Schaltfestigkeit
    • Mindestens 100.000 Programmier-Löschzyklen
  • Datenhaltung
    • Mindestens 20 Jahre Datenhaltung
  • Sicherheitsfunktionen
    • OTP-Array (einmal programmierbares Array) von 1024 Bytes
  • Blockierschutz:
    • Statusregister-Bits zum Schutz gegen Programmierung oder Löschung von zusammenhängenden Sektoren.
    • Hardware- und Software-Kontrolloptionen
    • Fortgeschrittener Sektorschutz (ASP)
      • Einzelner Sektorschutz, durch einen Bootcode oder Passwort gesteuert
  • Cypress® 65 nm MirrorBit®-Technologie mit Eclipse™-Architektur
  • Core-Versorgungsspannung: 2,7 V bis 3,6 V
  • I/O-Versorgungsspannung: 1,65 V bis 3,6 V
    • SO16- und FBGA-Gehäuse
  • Temperaturbereich:
    • Industrie (–40 °C bis +85 °C)\Industrie Plus (–40 °C bis +105 °C)
    • Automotive, AEC-Q100-qualifiziert Klasse 3 (–40 °C bis +85 °C)
    • Automotive, AEC-Q100-qualifiziert Klasse 2 (–40 °C bis +105 °C)
    • Automotive, AEC-Q100-qualifiziert Klasse 1 (–40 °C bis +125 °C)
  • Gehäuse (alle bleifrei)
    • 16-adriges SOIC (300 mil)
    • BGA-24 6 × 8mm
      • Footprint-Optionen: 5 × 5 Kugel (FAB024) und 4 × 6 Kugel (FAC024)
    • Bekannte Gussform und bekannte geprüfte Gussform
Veröffentlichungsdatum: 2012-04-28 | Aktualisiert: 2024-01-03