Infineon Technologies 650 V CoolMOS™ CFD7A SJ-Leistungs-MOSFETs

650-V-CoolMOS ™ -CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies sind für Elektrofahrzeug-Applikationen, wie z. B. On-Board-Ladegeräte, HV/LV-DC/DC-Wandler und Hilfsnetzteile ausgelegt. Dank der verbesserten Robustheit der kosmischen Strahlung ermöglichen die CoolMOS-CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs höhere Batteriespannungen mit einer Zuverlässigkeitsrate, die der früheren Generationen und anderen Marktangeboten entspricht. CoolMOS-CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs gewährleisten hohe Wirkungsgrade in hart- und resonant schaltenden Topologien, insbesondere bei leichten Lastbedingungen. Höhere Schaltfrequenzen bei Gate-Verlustpegeln, die mit denen früherer Generationen vergleichbar sind, werden erreicht. Die Reduzierung des Systemgewichts und der kleinere Platzbedarf führen zu kompakteren Designs.

Die Qualifizierung der CoolMOS-CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs übertrifft den AEC-Q101-Zuverlässigkeitsstandard für die Fahrzeugindustrie. Die Produktfamilie stellt eine skalierbare und flexible Lösung dar, die sowohl in PFC- als auch DC/DC-Stufen verwendet werden kann, da die Teile mit einer intrinsischen schnellen Body-Diode und einer großen Portfolio-Produktpalette geliefert werden. In einem 7-Pin-D²-PAK-Gehäuse mit Kelvin-Source-Konzept erzeugt die CoolMOS-CFD7A-Technologie, insbesondere bei hohen Strömen, erhebliche Vorteile auf Systemebene durch Reduzierung von Schaltverlusten und Wärme.

Merkmale

Wichtige Merkmale
- Batteriespannungen bis zu 475 V ohne Beeinträchtigung der Zuverlässigkeit
- Effizienzsteigerung in hart- und weichschaltenden Topologien (~0,1 % bis ~0,4 %)
- Kelvin-Source-Konzept für zusätzliche Effizienzsteigerung
- Intrinsische schnelle Bodydiode mit 30 % niedrigerem Q_rr im Vergleich zu CoolMOS™ CFDA

Wichtige Vorteile
- Hohe Zuverlässigkeit, erfüllt die Anforderungen der Lebensdauer von Fahrzeugen
- Ermöglicht Designs mit höherer Leistungsdichte
- Skalierbar, ist für den Einsatz in PFC- und DC/DC-Stufen vorgesehen
- Granulares Portfolio