Diodes Incorporated PI2SSD3212A1 14-Bit 2:1 eMMC/DDR Signal Schalter
14-Bit 2:1 eMMC/DDR- Signalschalter PI2SSD3212A1 1,8 V Diodes Inc. ist für den eMMC HS200- und HS400- BUS mit Geschwindigkeiten von bis zu 400MB/s 1,8 V oder 1,2 V I/Os ausgelegt. HS200 ist der Hochgeschwindigkeits- Schnittstellen -Timing -Modus von bis zu 200MB/s bei einem 200 MHz BUS mit einfacher Datenrate und HS400 bis zu 400MB/s bei einem 200 MHz BUS mit doppelter Datenrate. Darüber hinaus unterstützt das Bauteil CMOS-Auswahleingangssignale und POD_12-, SSTL_135-, SSTL_15- oder SSTL_18-Signale. Es kann für DDR2-, DDR3- oder DDR4-Speicherbus-Switches mit Geschwindigkeiten von bis zu 5 Gbit/s verwendet werden. Das Bauteil PI2SSD3212A1 unterstützt DDR3 mit 800 Mbit/s bis 2.133 Mbit/s und DDR4 mit 1.600 Mbit/s bis 4.266 Mbit/s.
Das PI2SSD3212A1 verfügt über eine 1:2 Demux- oder 2:1 Mux-Topologie. Alle 14-Bit-Kanäle können mit dem SEL-Eingang an einen der beiden Ports geschaltet werden. Es ermöglicht auch, dass alle Ports getrennt werden können. Der PI2SSD3212A1 verwendet proprietäre Hochgeschwindigkeits-Schaltertechnologie von Diodes Inc. und bietet eine gleichbleibend hohe Bandbreite über alle Kanäle hinweg mit minimalem Übersprechen, Einführungsverlust und Bit-zu-Bit-Versatz. Es ist in einem 48-poligen TFBGA-Gehäuse mit den Maßen 4,5 mm x 4,5 mm x 0,8 mm erhältlich.
Merkmale
- 14-Bit 2:1 Schalter, der eMMC HS200 und HS400 bis 400MB/s und DDR3 800 Mbps bis 2.133 Mbps DDR4 1.600 Mbps bis 4.266 Mbps unterstützt
- Einzelne Stromversorgung von 1,8 V
- SEL und Global Enable
- Typischer Betriebsstrom von 150 μA bei 1,8 V VDD
- Hohe Impedanz und niedrige Coff Kanalausgang bei Deaktivierung oder Abwahl
- Niedriger typischer 4 Ω-RON
- Bandbreite: -3 dB von 2,8 GHz
- Niedrige Einfügungsdämpfung von -0,35 dB bei 400 MHz
- Niedrige Rückflussdämpfung von -23 dB bei 400 MHz
- Niedrige Nebengeräusche für Hochgeschwindigkeitskanäle von -26 dB bei 400 MHz
- Hohe Abschalt-Isolation von -28 dB bei 400 MHz
- Niedrige typische Bit-zu-Bit-Verzerrung von 10 ps
- 2 KV HBM ESD
- Gehäuse: 48-polig, 4,5 mm x 4,5 mm x 0,8 mm, TFBGA (NC)
- Bleifrei und RoHS-konform
- Halogen- und antimonfreies grünes Gerät
Applikationen
- Hochgeschwindigkeits-Multiplexing
- eMMC-Module
- DDR3/DDR4 Speicherbussysteme
Weitere Ressourcen
Blockdiagramm
Veröffentlichungsdatum: 2025-09-24
| Aktualisiert: 2026-01-07