Diodes Incorporated API21550Q Isolierter Halbbrücken-Gate-Treiber
Der isolierte High-Side-/Low-Side-Halbbrücken-Gate-Treiber API21550Q von Diodes Inc. ist ein Gate-Treiber mit einer Spitzen-Source-/Sink-Ansteuerleistung von bis zu 4 A bzw. 6 A. Je nach Betriebsbedingungen bietet der API21550Q 5-V-, 8-V- und 12-V-VDD-UVLO-Optionen für den Betrieb von GaN-, MOSFET- und IGBT/SiC-Bauteilen.
Der API21550Q arbeitet mit einer maximalen Versorgungsspannung von 25 V für VDD, während der Eingangsbereich zwischen 3 V und 5,5 V liegt. Der API21550Q ist dafür ausgelegt, ein Eingangssignal in ein Ausgangssignal mit geringer Übertragungsverzögerung und minimaler Impulsbreitenverzerrung umzuwandeln. Außerdem bietet es einen Durchzündungsschutz mit programmierbarer Totzeit, und die externe Deaktivierungsfunktion erhöht die Anwendungsflexibilität. Ein integrierter 14-ns-Entstörfilter schützt den Treiber wirksam vor Störsignalen.
Der API21550Q von Diodes Inc. bietet eine verstärkte Isolierung von 5700 VRMS im SO-16W-Gehäuse (Typ CJ).r Alle Modelle erreichen eine Gleichtakt-Transientenstörfestigkeit (CMTI) von mindestens 125 V/ns.
Merkmale
- Isolierter H/L-Halbbrücken-Gate-Treiber
- Eingangsspannung VCC: 3 V – 5,5 V
- Spitzenausgangsstrom (Source) bis zu 4 A und Spitzenausgangsstrom (Sink) bis zu 6 A
- Gleichtakt-Übergangsfestigkeit (CMTI) größer als 125V/ns
- VDD-Ausgangsspannung: bis zu 25 V
- VDD-UVLO-Optionen: 5 V, 8 V, 12 V
- Schaltparameter
- Typische Übertragungsverzögerung: 40 ns
- Maximale Verzögerungsanpassung: 8 ns
- Maximale Pulsbreitenverzerrung: 7 ns
- Maximale VDD-Einschaltverzögerung: 10 μs
- Lebensdauer der Isolationsbarriere: > 40 Jahre
- Durchzündungsschutz und widerstandsprogrammierbare Totzeit
- Integrierter Entstörfilter: 14 ns
- Aktive Pulldown-Funktion
- Sicherheitsbezogene Zulassungen
- 8000 VPK SO-16W (Type CJ) gemäß DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
- 5700 VRMS SO-16W (Type CJ) für 1 Minute gemäß UL 1577
- CQC-Zertifizierung gemäß GB4943.1
- Mit den folgenden Ergebnissen AEC-Q100-qualifiziert:
- Gerätetemperaturgrad 1
- 4 kV HBM ESD
- 1,5 kV CDM ESD
- Untergebracht in SO-16W (Typ CJ)
- Betriebstemperaturbereich: -40 °C – +125 °C
- Bleifrei und RoHS-konform
- Halogen- und antimonfrei, Green-Gerät
- Entspricht AEC-Q100, PPAP-fähig und in nach IATF 16949 zertifizierten Werken hergestellt
Applikationen
- Ladegeräte für Hybrid- und Elektrofahrzeuge
- Motorantriebe in Fahrzeugbau
- Wechselrichtersteuerung in Hybrid- und Elektrofahrzeugen
- Isolierte DC/DC-Wandler in Fahrzeugbau
Funktionales Blockdiagramm
Development Tool
Diodes Incorporated API2155X-EVB1 Evaluierungsboard
Entwickelt zur Evaluierung der Dual‑Channel‑GATE‑Produktfamilie‑Treiber in SO‑14W‑/SO‑16W‑Gehäusen.