Zurück zu Diodes Incorporated

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1.200 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1.200-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind Siliziumkarbid-MOSFETs, die zur Reduzierung des Einschaltwiderstands und zur Aufrechterhaltung einer ausgezeichneten Schaltleistung ausgelegt sind. Diese MOSFETs verfügen über eine niedrige Eingangskapazität, einen Null-Gate-Spannungs-Drainstrom von bis zu 100 μA, einen Gate-Source-Ableitstrom von bis zu ±250 nA und eine hohe BVDSS -Nennleistung für Stromapplikationen. Die DMWSH120Hx MOSFETs werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C betrieben und entsprechen der UL 94 V-0 Brennbarkeitsklasse. Diese Leistungs-MOSFETs sind ideal geeignet für den Einsatz in EV-Hochleistungs-DC/DC-Wandlern, EV-Ladesystemen, Solaranlagen-Umrichtern, AC-DC-Traktionsumrichtern und Fahrzeugmotortreibern.

Merkmale

  • Niedriger On-Widerstand
  • Hohe BVDSS -Nennleistung für Stromapplikationen
  • Niedrige Eingangskapazität
  • Drainstrom der Null-GATE-Spannung von bis zu 100 μA
  • Gate-Source-Ableitstrom: bis zu ±250 nA
  • AEC-Q101-qualifiziert (DMWSH120H28SM3Q, DMWSH120H28SM4Q, DMWSH120H90SM3Q und DMWSH120H90SM4Q)
  • Bleifreie Ausführung
  • RoHS-konform
  • Entflammbarkeitsstufe: UL 94V-0
  • -55 °C bis 175 °C Betriebstemperaturbereich
  • Erhältlich in den Gehäusen TO247, TO247-4 oder TO263-7

Applikationen

  • EV-Hochleistungs-DC/DC-Wandler
  • EV-Ladesysteme
  • Solaranlagen-Umrichter
  • AC-DC-Traktionsumrichter
  • Automotive-Motortreiber
View Results ( 10 ) Page
Teilnummer Datenblatt Anzahl der Kanäle Transistorpolung Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Pd - Verlustleistung
DMWSH120H90SCT7 DMWSH120H90SCT7 Datenblatt 1 Channel N-Channel 1.2 kV 38.2 A 90 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 54.6 nC 197 W
DMWSH120H43SM3 DMWSH120H43SM3 Datenblatt 1 Channel N-Channel 1.2 kV 72.7 A 43 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 105 nC 341 W
DMWSH120H28SM3Q DMWSH120H28SM3Q Datenblatt 1 Channel N-Channel 1.2 kV 97.4 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 175 nC 405 W
DMWSH120H28SM4 DMWSH120H28SM4 Datenblatt 1 Channel N-Channel 1.2 kV 100 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 173.7 nC 429 W
DMWSH120H28SM3 DMWSH120H28SM3 Datenblatt 1 Channel N-Channel 1.2 kV 97.4 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 175 nC 405 W
DMWSH120H28SM4Q DMWSH120H28SM4Q Datenblatt 1 Channel N-Channel 1.2 kV 100 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 173.7 nC 429 W
DMWSH120H90SM3 DMWSH120H90SM3 Datenblatt 1 Channel N-Channel 1.2 kV 41 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 50.9 nC 246 W
DMWSH120H90SM3Q DMWSH120H90SM3Q Datenblatt 1 Channel N-Channel 1.2 kV 41 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 50.9 nC 246 W
DMWSH120H90SM4 DMWSH120H90SM4 Datenblatt 1 Channel N-Channel 1.2 kV 40 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 51.1 nC 235 W
DMWSH120H90SM4Q DMWSH120H90SM4Q Datenblatt 1 Channel N-Channel 1.2 kV 40 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 51.1 nC 235 W
Veröffentlichungsdatum: 2024-06-11 | Aktualisiert: 2024-07-22