Diodes Incorporated DMTH6005 n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs
Diodes Inc. DMTH6005 n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs sind zur Reduzierung des Einschaltwiderstands (RDS(ON)) bei gleichzeitiger hervorragender Schaltleistung ausgelegt. Die DMTH6005 MOSFETs bieten maximal 5,5 mΩ bei VGS = 10 V RDS(ON), eine Drain-Source-Durchschlagspannung von 60 V und eine vollständig ungeklemmte induktive Schaltung. Diese MOSFETs sind für +175 ºC eingestuft und eignen sich dadurch für Umgebungen mit hohen Temperaturen. Der DMTH6005LPSQ ist für Fahrzeuganwendungen AEC-Q101 qualifiziert und unterstützt PPAP. Zu den Applikationen für DMTH6005 MOSFETs gehören Hochfrequenzschaltung, Synchrongleichrichtung und DC/DC-Wandler.
Merkmale
- Für +175 ºC eingestuft - eignen sich für Umgebungen mit hohen Temperaturen
- Vollständig ungeklemmte induktive Schaltung - gewährleistet zuverlässige und robuste Endanwendung
- Niedriger RDS(ON) – reduziert Leistungsverluste
- Geringer Qg - reduziert Schaltverluste
- Bleifreie Ausführung; RoHS-konform
- Halogen- und antimonfrei Umweltfreundliches (grünes) Bauelement
- Qualifiziert nach AEC-Q101-Standard für hohe Zuverlässigkeit (DMTH6005LPSQ)
- PPAP-fähig (DMTH6005LPSQ)
- Gehäuse: POWERDI® 5060-8
- Gehäusematerial: Geformter Kunststoff, umweltfreundliche Formkomponente. UL-94V-0 Brennbarkeitsprüfung
- Feuchteempfindlichkeit: Stufe 1 nach J-STD-020
- Anschlüsse: Mattverzinnung gehärtet über Kupferleiterrahmen. Nach MIL-STD-202, Verfahren 208 lötbar
- Gewicht: 0,097 Gramm (Schätzwert)
Applikationen
- Hochfrequenzschaltung
- Synchron- Gleichrichtung
- DC/DC-Wandler
Gehäuse: POWERDI®5060-8
Veröffentlichungsdatum: 2017-03-27
| Aktualisiert: 2022-03-11