Diodes Incorporated DMP68D1LV Dualer p-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus
Die p-Kanal-MOSFETs im Anreicherungsmodus der Baureihe DMP68D1LV von Diodes Incorporated bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringe Eingangskapazität bei gleichbleibend ausgezeichneter Schaltleistung. Diese Bauteile eignen sich hervorragend für hocheffiziente Energiemanagementanwendungen. Die MOSFETs der Baureihe DMP68D1LV von Diodes Inc. sind in einem SOT563-Gehäuse erhältlich.
Merkmale
- Niedriger On-Widerstand
- Niedrige Eingangskapazität
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Geringer Eingangs-/Ausgangskriechverlust
- ESD Geschützt
- Bleifreie Ausführung; RoHS-konform
- Halogen- und antimonfreies Bauteil aus „Green”-Material
- Für Fahrzeuganwendungen, die eine spezifische Änderungssteuerung erfordern
Applikationen
- DC/DC-Wandler
- Energiemanagementfunktionen
Technische Daten
- SOT563-Gehäuse
- Gehäusematerial aus Kunststoff im „Green”-Moulding-Compound
- UL-Entflammbarkeitsklassifizierung 94V-0
- Feuchteempfindlichkeitsschwellwert 1 gemäß J-STD-020
- Finish – matt verzinnter, weichgeglühter Zinn über Kupfer
- Nach MIL-STD-202, Verfahren 208 lötbar
- Gewicht: ca. 0,006 g
Applikations-Schaltung
Veröffentlichungsdatum: 2025-10-21
| Aktualisiert: 2025-11-07