Diodes Incorporated DMN4800LSSQ n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs
Die DMN4800LSSQ n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs von Diodes Inc. sind zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) bei gleichzeitiger erstklassiger Schaltleistung konzipiert. Die DMN4800LSSQ sind ideal für Hochleistungs-Applikationen im Energiemanagement. Typische Applikationen sind Hintergrundbeleuchtung, Energieverwaltungsfunktionen und DC-DC-Wandler.
Merkmale
- Low on-resistance
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- "Green" device
- Lead-free and RoHS compliant
- PPAP capable
Applikationen
- Backlighting
- Power management functions
- DC-DC converters
Veröffentlichungsdatum: 2016-05-02
| Aktualisiert: 2022-03-11