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Diodes Incorporated AH139x Unipolare Hall-Effekt-Schalter-ICs mit Dual-Ausgang

Diodes Incorporated AH139x Unipolare Hall-Effekt-Schalter-ICs mit zwei Ausgängen bieten eine hohe Empfindlichkeit und einen extrem geringen Stromverbrauch in Miniatur-Gehäusen und sind speziell für tragbare/batteriebetriebene Verbrauchergeräte, Haushaltsgeräte und Industrieapplikationen ausgelegt. Die AH1391 und AH1392 Bauteile werden über einen Versorgungsbereich von 1,6 V bis 5,5 V und einen Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C betrieben und verwenden eine Schlaffunktion, um einen durchschnittlichen Versorgungsstrom von nur 1,1 μA bei 1,85 V zu liefern. Der AH139x verfügt über eine 6 kV ESD-Bewertung auf den Versorgungs- und Ausgangspins. Zur Reduzierung des PCB-Platzbedarfs sind diese ICs in kleinen X2-DFN1410-4- und X2-DFN1010-4-Gehäusen (Typ B) mit niedrigem Profil untergebracht.

Ein Nordpol mit ausreichender Stärke schaltet den Output1 ein und ein Südpol mit ausreichender Stärke schaltet den Output2 ein. Der Output1 wird eingeschaltet (niedrig gezogen), wenn die magnetische Flussdichte (B) senkrecht zur Oberfläche der Teilmarkierung unter den Nordfeld-Betriebspunkt-BOPN (-25 G typisch) fällt. Der Output1 wird niedrig gehalten, bis B über den Nordfeld-Freigabepunkt BRPN steigt (-20 G typisch). Ebenso wird der Output2 betrieben (niedrig gezogen), wenn B zur Teilmarkierungsfläche über den Südfeld-Betriebspunkt-BOs steigt (25 G typisch) und niedrig gehalten wird, bis B unter den Südfeld-Freigabepunkt BRPS (20 G typisch) fällt.

Merkmale

  • 2 x monolithische unipolare Hall-Schalter
    • Betrieb mit einem North Pole (Output1) zur Teilmarkierungsfläche
    • Betrieb mit einem South Pole (Output2) zur Teilmarkierungsfläche
  • 1,6 V bis 5,5 V Versorgungsspannung
  • Micropower Betrieb
  • Dual-Ausgänge für unabhängige Pol-Erkennung für design-Flexibilität
  • Interne pull-Up- und pull-down-Fähigkeit
  • Gute HF-Rauschimmunität
  • Chopper-stabilisiertes Design
    • Hervorragende Temperaturstabilität
    • Extrem niedrige Schaltpunkt-drift
    • Unempfindlich gegen physische Belastung
  • Betriebstemperaturbereich -40 °C bis +85 °C
  • 6 kV ESD auf Versorgungs- und Ausgangspins
  • Kleine X2-DFN1410-4- und X2-DFN1010-4-Gehäuse (Typ B) mit niedrigem Profil
  • Vollständig RoHs-konform und bleifrei
  • Halogen- und antimonfrei. Umweltfreundliches (grünes) Bauelement

Applikationen

  • Smart-covers oder dock-Erkennung für Mobiltelefone und tablets
  • Positionserkennung für digitale Fotokameras, Videokameras und handheld-Spielkonsolen
  • Erkennungsschalter für Türen, Deckel und Ablageposition
  • Füllstands-, Näherungs- und Positionsschalter
  • Berührungslose Schalter in Haushaltsgeräten und Industrieapplikationen

Technische Daten

  • -0,3 V Maximale Sperrversorgungsspannung
  • 2,5 mA Maximaler Ausgangsstrom (Quelle und Senke)
  • Unbegrenzte magnetische Flussdichte
  • 230mW Maximale Gehäuse-Verlustleistung
  • +150 °C maximale Sperrschichttemperatur
  • 0,1 % Typisches Tastverhältnis
  • Versorgungsströme
    • 720 µA (typisch) in IDD (AWAKE)
    • 1 µA max., 0,36 µA (typisch) in IDD (SLEEP)
    • 3 µA bis 9 µA max., 1,1 µA typisch für IDD (AVG)
  • 30µs bis 80µs Aktivierungs-Zeitbereich
  • 30 ms bis 80 ms Zeitspanne

Datenblätter

Typische Applikations-Schaltung

Applikations-Schaltungsdiagramm - Diodes Incorporated AH139x Unipolare Hall-Effekt-Schalter-ICs mit Dual-Ausgang

Funktionales Blockdiagramm

Blockdiagramm - Diodes Incorporated AH139x Unipolare Hall-Effekt-Schalter-ICs mit Dual-Ausgang
Veröffentlichungsdatum: 2023-07-10 | Aktualisiert: 2023-07-21