Diodes Incorporated FMMT411T NPN-Niederspannungs-Avalanche-Transistor
Der Diodes Incorporated FMMT411T NPN Niederspannungs-Avalanche-Transistor ist ein planarer Silizium-Bipolartransistor, der für den Betrieb im Avalanche-Modus ausgelegt ist. Eine enge Prozesssteuerung und ein Gehäuse mit niedriger Induktivität erzeugen Fast-Edge-Hochstrom-Impulse. Der FMMT411T ist speziell für den Betrieb im Niederspannungs-Avalanche-Modus ausgelegt und verfügt über einen 80 A Spitzen-Avalanche-Strom.
Merkmale
- BVCES > 80 V
- BVCEO > 15 V
- Speziell für den Betrieb im Niederspannungs-Avalanche-Modus ausgelegt
- 80 A Spitzen-Avalanche-Strom
- Bleifrei und RoHS-konform
- Halogen- und antimonfreies umweltfreundliches Bauteil
Applikationen
- Laserdioden-Treiber für Entfernung und Messung (LiDAR)
- Fast-Edge-Schaltergeneratoren
- Hochgeschwindigkeits-Impulsgeneratoren
Typische Schaltung
Veröffentlichungsdatum: 2020-11-03
| Aktualisiert: 2024-08-20