Diodes Incorporated DMTH4004 n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET
Die n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs DMTH4004 von Diodes Inc. sind zur Reduzierung des Einschaltwiderstands (RDS(ON) ausgelegt. Diese MOSFETs sind ideal für hohe Umgebungstemperaturen und für bis zu 175 °C ausgelegt. Die n-Kanal-MOSFETs sind 100 % UIS-geprüft (en: Unclamped Inductive Switching) in der Produktion, so dass eine zuverlässige und robuste Endanwendung gesichert werden kann. Diese MOSFETs bieten eine Drain-Source-Spannung von 40 V und minimieren Schaltverluste. Die MOSFETs DMTH4004SCTBQ, DMTH4004SPSQ, und DMTH4004LK3 der DMTH4004-Baureihe wurden entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobil-Applikationen zu erfüllen. Diese MOSFETs sind alle PPAP-fähig (Produktionsteil-Abnehmverfahren) und nach AEC-Q101 zugelassen. Die MOSFETs der DMTH4004-Baureihe eignen sich hervorragend für den Einsatz in Motorsteuerungssystemen, in der Karosseriesteuerungselektronik und in DC/DC-Wandlern.
Merkmale
- Ideal für hohe Umgebungstemperaturen
- Niedriger RDS(ON) reduziert Stromverluste
- Geringer Qg minimiert Schaltverluste
- 100 % abgesetzte induktive Schaltung gewährleistet zuverlässige und robuste Endapplikation
- Bleifrei
- Halogen- und antimonfrei
- Qualifiziert nach AEC-Q101 für hohe Zuverlässigkeit
- PAAP-fähig
- Feuchteempfindlichkeit 1 gemäß J-STD-020
- Entflammbarkeitsstufe von 94V-0
Applikationen
- Motorsteuerungssysteme
- Karosseriesteuerelektronik
- DC/DC-Wandler
Interner Schaltplan DMTH4004 n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2016-07-04
| Aktualisiert: 2022-03-11