Diodes Incorporated DGD21x Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber
Die DGD21x Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Gatter-Treiber von Diodes Inc. schalten die Leistungs-MOSFETs und IGBTs in Halbbrücken- und Vollbrücken-Konfigurationen um. Die DGD21x verfügen über High-Side- und Low-Side-Ausgangsantrieb. Diese Treiber haben eine einfache Eingangslogikebene und bieten eine einfache Schnittstelle zwischen den Controller und Leistungs-MOSFET/IGBT-Schaltern. Die DGD21x unterstützen bis zu 600 V über einen frei beweglichen High-Side-Treiber, der den Betrieb auf Hochspannungsschienen in Netzteilen, Motorantrieben und DC-DC-Wechselrichtern ermöglicht.
Merkmale
- Floating high-side driver in bootstrap operation to 600V
- Drives two N-channel MOSFETs or IGBTs in a half-bridge configuration
- Output drivers capable of 4.5A/4.5A typ sink/source
- Logic input (HIN and LIN) 3.3V capability
- Schmitt triggered logic inputs with internal pull-down
- Undervoltage lockout for high and low-side drivers
- -40°C to +125°C extended temperature range
- Totally lead-free and fully RoHS compliant
- Halogen and Antimony free "Green" device
Applikationen
- >100W Motor drive AC and DC motors including BLDC, PMSM, induction motors
- White goods
- Washing machines, refrigerators, air conditioners
- Industrial automation
- Drones, RC cars, and planes
- Battery operated vehicles
- White goods
- Power supplies
- Offline AC and DC SMPS with half-bridge and full-bridge topologies:
- Server, telecom PSU
- LED and LCD TV
- Offline AC and DC SMPS with half-bridge and full-bridge topologies:
- DC-AC inverters
- Solar, wind, and fuel cells
DGD21x Applications
Additional Resources
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Diodes Incorporated DGD-Halbbrücken-Gate-Treiber
Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber, die n-Kanal-MOSFETs und IGBTs antreiben können.
Veröffentlichungsdatum: 2016-03-01
| Aktualisiert: 2022-03-11