Diodes Incorporated DXTN07x Sperrschicht-Bipolartransistoren (BJTs)
Die DXTN07x Sperrschicht-Bipolartransistoren (BJTs) von Diodes Incorporated in kleineren, thermisch effizienten PowerDI®3333-8-Gehäusen angeboten. Diese Transistoren sind in einem oberflächenmontierbaren PowerDI-Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm x 0,8 mm untergebracht. Das Gehäuse benötigt 70 % weniger Leiterplattenplatz (PCB) als herkömmliche Transistoren mit kleinem Umriss (SOT223). Die PowerDI3333-Gehäuse erhöhen den PCB-Durchsatz mit benetzbaren Flanken, wodurch die automatische optische Inspektion (AOI) mit hoher Geschwindigkeit von Lötstellen vereinfacht wird. Diese NPN- und PNP-Transistoren können Funktionen, wie z. B. eine Linear- oder LDO-Regelung, ein Gate-Driving von MOSFETs oder Bipolartransistoren mit isoliertem Gate und Lastschaltern über Industrie- und Verbraucherapplikationen durchführen.
Merkmale
- Thermisch effiziente Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm x 0,8 mm
- Vollständig RoHS-konform und bleifrei
- Benetzbare Flanke für eine verbesserte optische Inspektion
- Durchschlagspannung von -100 V bis 100 V, Kollektor-Emitter, offener Sockel
- Hoher Dauerstrom von -3 A bis 3 A
- Eingestuft für bis zu +175 °C, ideal für Hochtemperaturumgebungen
- Niedrige Sättigungsspannung VCE(sat) -400 mV bis 300 mV bei -1 A
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| Teilnummer | Datenblatt | Transistorpolung | Kollektor-Basisspannung VCBO | Sättigungsspannung Kollektor-Emitter | Bandbreitengewinnungsprodukt fT |
|---|---|---|---|---|---|
| DXTP07040CFG-7 |  |
PNP | 50 V | 200 mV | 100 MHz |
| DXTP07100BFG-7 | |
PNP | 120 V | 260 mV | 140 MHz |
| DXTN07025BFG-7 | |
NPN | 35 V | 180 mV | 240 MHz |
| DXTN07060BFG-7 | |
NPN | 80 V | 200 mV | 175 MHz |
| DXTN07100BFG-7 | |
NPN | 120 V | 150 mV | 175 MHz |
| DXTP07040CFGQ-7 | |
PNP | 50 V | 200 mV | 100 MHz |
| DXTP07060BFG-7 | |
PNP | 80 V | 206 mV | 140 MHz |
| DXTN07045DFG-7 | |
NPN | 45 V | 140 mV | 150 MHz |
| DXTP07025BFG-7 | |
PNP | 35 V | 164 mV | 160 MHz |
Veröffentlichungsdatum: 2019-03-07
| Aktualisiert: 2023-07-17