Diodes Incorporated Automotive-MOSFETs
Die Automotive-MOSFETs von Diodes Incorporated erfüllen die Anforderungen für Zuverlässigkeit gemäß AEC-Q101-Standard des Automotive Electronic Council. Produkte mit einem „Q“-Suffix bezeichnen Automobilstandard-Produkte. Das bedeutet, dass das Bauteil die strengen Anforderungen des AEC-Q101-Standards erfüllt und für Fahrzeuganwendungen vollständig unterstützt ist. Die MOSFETs unterstützen Kunden mit PPAP (Produktionsteil-Abnehmeverfahren) und TS16949-genehmigten Produktionsstandorten.
Merkmale
- Erfüllt die Anforderungen gemäß AEC-Q101 des Automotive Electronic Council
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Niedrige Eingangskapazität
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Geringer Eingangs- und Ausgangs-Ableitstrom
- Komplementäres Paar-MOSFET
- Extrem kleines Gehäuse zur Oberflächenmontage
Verwandte Produkte
Diodes Incorporated Power MOSFETs
Portfolio of power MOSFETs with new N- and P-channel devices with breakdown voltages up to 6450V.
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung | Anzahl der Kanäle | Transistorpolung | Qualifikation |
|---|---|---|---|---|---|
| BSP75G-13 |  |
Leistungsschalter IC - Leistungsverteiler Low Side IntelliFET SOT223 T&R 4K | |||
| DMP2045UQ-7 | |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K | 1 Channel | P-Channel | AEC-Q101 |
| DMT3020LSDQ-13 | |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K | 2 Channel | N-Channel | AEC-Q101 |
| DMT10H072LFDFQ-7 | |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K | 1 Channel | N-Channel | AEC-Q101 |
| ZXMN6A09GQTA | |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 1K | 1 Channel | N-Channel | AEC-Q101 |
Veröffentlichungsdatum: 2019-01-29
| Aktualisiert: 2025-10-10