Bourns CE Monolithische Mehrschicht-Chip-Induktivitäten

Bourns CE Monolithische Mehrschicht-Chip-Induktivitäten zeichnen sich durch einen monolithischen Aufbau aus, der eine hohe Zuverlässigkeit und einen niedrigen DC-Widerstand in einem kompakten Formfaktor (maximales Profil von 0,8 mm) bietet. Diese Mehrschicht-Chip-Induktivitäten bieten hohe Eigenresonanzfrequenzen (SRF) von bis zu 20.000 MHz und einen Induktivitätsbereich von 0,3 nH bis 470 nH. Die CE monolithischen Mehrschicht-Chip-Induktivitäten von Bourns bieten enge Toleranzen mit einem DC-Widerstand (DCR) von 0,05 Ω bis 10 Ω und Nennstromwerten von 100 mA bis 1 A. Die Induktivitäten haben einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +125 °C und eignen sich gut für HF-Verstärker, Niederspannungs-Stromversorgungsmodule, Funksender, Radar, drahtlose Kommunikation und verschiedene mobile elektronische Geräte.

Merkmale

  • Monolithische Bauweise, die eine hohe Zuverlässigkeit bietet
  • Magnetisch abgeschirmte Bauweise für geringe Strahlung
  • Kleine Größe und niedriges Profil
  • Hochfrequenz

Applikationen

  • HF- und drahtlose Kommunikation
  • Rauschfilter
  • Niederspannungs-Netzteileinheiten
  • Funksender
  • HF-Verstärker
  • Verschiedene mobile elektronische Geräte
  • Radar

Technische Daten

  • Maximales Profil: 0,8 mm
  • Bis zu 20.000 MHz SRF
  • 0,3 nH bis 470 nH Induktivitätsbereich
  • 0,05 Ω bis 10 Ω DCR
  • 100 mA bis 1 A Strombereich
  • -55 °C bis +125 °C Betriebstemperaturbereich

Schaltschema

Schaltplan - Bourns CE Monolithische Mehrschicht-Chip-Induktivitäten

Abmessungen

Technische Zeichnung - Bourns CE Monolithische Mehrschicht-Chip-Induktivitäten
Veröffentlichungsdatum: 2026-02-16 | Aktualisiert: 2026-02-19