Analog Devices Inc. HMC637BPM5E MMICs

Analog Devices Inc. HMC637BPM5E monolithische Mikrowellen-integrierte Schaltungen (MMICs) sind Galliumarsenid (GaA), pseudomorphic High Electron Mobility Transistoren (pHEMT) und Kaskaden-verteilte Leistungsverstärker. Die MMICs sind im Normalbetrieb selbst-vorgespannt und verfügen über eine optionale Vorspannungssteuerung für die Anpassung des Ruhestroms (IDQ) und für die Optimierung des Schnittpunkts der zweiten Ordnung (IP2) und des Schnittpunkts der dritten Ordnung (IP3). Die Verstärker arbeiten von DC bis 7,5 GHz, die Bereitstellung von 15,5 db Kleinsignalverstärkung und 28 dBm Ausgangsleistung bei 1dB-Verstärkungskompression. Darüber hinaus verfügen die Bauteile über einen typischen Ausgangs-IP3 von 39 dBm und einen Rauschfaktor von 3,5 dB, während sie gleichzeitig 350 mA von einer 12V-Versorgungsspannung (VDD) erfordern.

Die HMC637BPM5E ist ideal für Militär, Raumfahrt und Testgeräteapplikationen mit einer Verstärkungsflachheit von DC bis 7,5 GHz bei ±0,5 dB (typisch). Die HMC637BPM5E verfügt außerdem über Inputs/Outputs (I/Os), die intern auf 50 Ω angepasst sind.

Die Bauteile sind in einem RoHS-konformen Lead-Frame-Chip-Scale-Gehäuse (LFCSP) von 5 × 5 mm mit vorgeformtem Hohlraum untergebracht. Dies macht das Bauteil kompatibel mit hochvolumigen Montageausrüstungen mit Oberflächenmontagetechnologie (SMT).

Merkmale

  • P1dB-Ausgangsleistung: 28 dBm (typisch)
  • Verstärkung: 15,5 dB typisch
  • Ausgangs-IP3: 39 dBm typisch
  • 50 Ω Eingangs-/Ausgangsanpassung (I/O)
  • Selbst-vorgespannt bei VDD = 12 V bei 345 mA typisch
    • Optionale Vorspannungssteuerung auf VGG1 für IDQ-Anpassung
    • Optionale Vorspannungssteuerung auf VGG2 für IP2- und IP3-Optimierung
  • 32-Pin-LFCSP-Gehäuse von 5 × 5 mm: 25 mm2

Applikationen

  • Militär und Raumfahrt
  • Test- und Messgeräte

Blockdiagramm

Blockdiagramm - Analog Devices Inc. HMC637BPM5E MMICs
Veröffentlichungsdatum: 2018-08-15 | Aktualisiert: 2023-02-24